直立有序TiO2纳米管嫁接ZnO纳米棒光催化阳极的制备%2c表征及光电催化应用.pdfVIP

直立有序TiO2 纳米管嫁接ZnO 纳米棒光催化阳极的制备，表征及光电催化应用 * 雷燕竹，赵国华 ，刘梅川，张重宁，童希立，曹同成 （同济大学化学系，上海，200092，E-mail ：g.zhao@tongji.edu.cn ） 原位直立生长的TiO2 纳米管（NTs ）制备经济简便，高度有序，具有良好的物理化学稳定性和 很高的比表面积，可以直接作为光催化基体电极。但TiO2 的禁带宽度约为3.2 eV ，光生电子和空穴 容易发生复合，限制了其在实际光催化降解中的应用。近年来，TiO2 NTs 与其他光催化材料复合， 如金属离子、半导体氧化物以改善其光催化和电催化性能的研究引起了越来越多的关注。 ZnO 也是一种具有良好光催化活性的半导体。文献报道，与 TiO2 相比，ZnO 对酚类有机污染 物具有更好的光电催化氧化活性。负载于各种基体上的ZnO 表现出较高的光催化活性，可用于对氯 苯酚等芳香污染化合物废水、甲基橙等染料废水的光电催化降解。ZnO 的禁带宽度约为3.37 eV ，与 TiO2 相近，但是 ZnO 的导带和价带电位更负，当形成复合光电催化剂后，光生电子从TiO2 的导带 激发迁移到ZnO 的导带，而光生空穴则从ZnO 的价带迁移到TiO2 的价带，促进了光生电子和光生 空穴的分离，并减少了空穴电子对的重组。但是，传统的制备方法如将ZnO 膜与TiO2 膜复合，得到 的复合电极比表面积较小。文献报道已开展在无序TiO2 NTs 表面掺杂修饰ZnO 以提高光电催化性能 的研究，由于TiO2 NTs 本身具有很高的比表面积，从而提高了光催化活性表面积，但是，将ZnO 纳 米粒子负载到无序 TiO2 膜或纳米管上得到的非有序光催化剂在使用过程中仍面临二次处理难的问 题。因此，制备高比表面积有序的ZnO/TiO2 NTs 复合阵列对于提高电极的光电催化活性具有现实意 义。近年来，随着直立于各种基体上的ZnO 纳米棒（NRs ）制备成功，这种一维（1D ）结构ZnO 在 光催化领域的应用得到了越来越多的关注。与纳米粒子和纳米膜相比，纳米棒结构更加可控且有序， 其在生长过程中形成六方晶型的特定的晶面可以在很大程度提高光催化活性。由于 ZnO 与 TiO2 的 禁带宽度相近，且都是n 型半导体，当将这两种半导体复合时，ZnO 在TiO2 NTs 上的负载量可能对 复合电极的性能产生极大的影响。如何获得最佳复合比例，从而提高光电催化活性，这方面的研究 鲜有报道。 图1 （A ）掺杂量为0.65 mg cm-2 的ZnO NRs/TiO NTs 的扫描电镜图；（B ）双酚A 光解（0 ）及在 2 -2 TiO2 NTs （1 ）以及嫁接量为（2 ）0.23；（3 ）0.44；（4 ）0.65；（5 ）0.81；（6 ）0.98 mg cm ZnO NRs/TiO2 NTs 上降解初始浓度随时间的变化。插图：浓度自然对数与时间的关系 Fig 1. (A) SEM image of ZnO NRs/TiO NTs (0.65 mg cm-2); (B) Photolysis (0) and PEC removal of BPA on TiO NTs (1) and on ZnO 2 2 NRs/TiO2 NTs with different graft amount: (1)0, (2)0.23, (3)0.44, (4)0.65, (5)0.81 and (6)0.98mg cm-2; inset: The relationship between the natural logarithm concentration of BPA and the time. 在本文研究中，通过简单的水热合成方法将ZnO