6H-SiCNMOS与PMOS温度特性分析.pdfVIP

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年 月 西安电子科技大学学报(自然科学版) ! ! 10G,! 第 卷 第 期 ! ! %’ ) Y./,%’ =.,) ! ! +),-’./ )0 1232.’ ,’245-$267 ! ! ! !#$% ’()$与*()$温度特性分析 韩 茹! 杨银堂 ! !西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西 西安 # )) ! 摘要!考虑界面态电荷高斯分布模型以及 效应!对 补偿电流源模型进行了 -../0$120340/ 5678951:; 修正!分析了造成 与 器件补偿电流源变化的原因 结果表明界面态电荷的非均 #$567=895 -895 , 匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小#漏衬界面缺陷是造成体 漏电流较大$达到微安量级%的主要因素!且缺陷密度越大!该值随温度增长的速度越快, 关键词!碳化硅#补偿电流源#冻析效应#普尔 弗兰克效应#体漏电流 $ 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # ;=%*# ))$!’ !)$)#$( ! ! ! ! !#$’()*+’*’, ’.#*/.’ .(’.*0’()*+’ % - - - 1234056784#9:784 $ !# $% #’()*+,) - ! $ 8636?@2 .B:CD,40 EFG,.BH6C0IF3C$JF 50L6M.3CDM@.28F@026F/?F3CN0O6M0? A A K $ $ P6C6F3Q3

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