5KV非对称IGCT的特性分析与设计.pdfVIP

第 42卷 第 12期 电力 电子技 术 V01．42 No．12 2008年 12月 PowerElectronics December，2008 5kV非对称GCT的特性分析与设计 王彩琳，孙永生，张建仙 (西安理工大学，陕西 西安 710048) 摘要：简述了非对称门极换流晶闸管(A—GCT)的结构特点及其工作原理，分析了A．GCT结构参数之间的相互制约关 系，给出了高压A—GCT的设计参考。并借助 ISE软件对A—GCT的阻断特性、导通特性和开关特性进行了模拟。提取 了5kV的A—GCT纵向结构设计参数。 关键词：晶闸管；换流：特性 ／非对称 门极换流晶闸管 中图分类号：TN34 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2008)12—0046—03 CharacteristicsAnalysisandDesignof5kV AsymmetryGCT WANGCai．1in，SUNYong．sheng，ZHANGJian—xian (Xi’anUniversityofTechnology，Xi’nn710048，China) Abstract：Thestructuralfeaturesandoperationprincipleofasymmetricgatecommutatedthyristor(A-GCT)aredescribed simply．TheconflictrelationsofthesturcturalparametersinteractionofA-GCT areanalyzedtheoretically，and thedesign consideration isgiven．Theblocking，conductingandswitchingcharacteristicsofA-GCT aresimulatedbyISE simulator， andtheverticalsturcturalparametersofA—GCT areextracted． Keywords：thyristor；commutation；characteristics／asymmetricgatecommutatedthyristor FoundationProject：SupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofShaanxiProvince(No．2007E208)；Special ScienceandTechnologyPlanofEducationBureauofShaanxiProvince(No．08JK379)；DoctorScientificResearchStart—up FoundationofXi’anUniversityofTechnology 1 引 言 2 结构和工作原理 集成门极换流晶闸管(IGCT)E堤：目前 电流控制 GCT的基本结构与GTO相似，都采用分离并联 型器件中一种具有广阔发展前景的新型电力半导体 的阴极和公共连接的门极与阳极。非对称型GCT是 器件。其中门极换流晶闸管(GCT)以门极可关断晶 一 个 pnn-pn+5层结构的晶闸管．其 n基区由n缓冲 闸管 (GTO)结构为基础，增加了透明阳极和缓冲层 层和 n-区组成 ．并用透明阳极代替了GTO的普通阳 等新技术 ．并通过将 GCT器件与门极驱动 电路集成 极，其基本结构如图1所示。 来实现硬驱动。与传统GTO器件相 比，GCT具有开 关频率高(可达千赫兹的范围)、通态损耗和关断损 耗低、驱动电路简单、串并联容易等优点12]。目前，国 外著名的电器公司均推 出了各 自基于 I