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导电塑料的导电机理 文章出处：浙江慧仁电子有限公司 发表时间：2012-06-20 转载请注明出处 导电塑料导电机理的研究主要有两个方面：一是导电通路的形成机理；二 是导电通路形成后的室温导电机理。其中，前者主要研究导电塑料内的导电功 能体如何通过相互接触形成一条完整的导电通路；后者则主要研究导电通路形 成后，所产生的“载流子”的微观迁移过程及其迁移规律。 导电高分子复合材料的导电机理比较复杂。许多实验证明，尽管采用不同 的制备方法、选取不同的基体材料的功能体，导电高分子复合材料却表现出一 种相似的性质，即“渗滤阀值”现象。随着导电功能体含量的增加，开始时体 系的电导率增加极少。但导电功能体达到某一临界含量（阀值）时复合体系的 电导率将会急剧增加（有时可达近 10 个数量级）。在导电功能体的临界含量附 近体系电阻率的急剧下降，一般认为是由于导电功能体形成大量导电通路引起 的。因此，导电通路如何形成及导电功能体的临界填充率与复合体系电阻率之 间的关系便成为导电高分子复合材料研究中首先关心的问题。许多学者提出了 各种理论来解释各自的实验结果，其理论大致可分为下面几类模型。 一、 导电通路形成理论 诸多试验结果表明，不同制备方法，不同聚合物基体及导电功能体组成的 复合材料，都表现出“渗滤”现象，即当导电功能体的含量增加到某一临界值 时，复合材料的电阻率急剧下降。这一现象通常被认为是导电功能体形成大量 导电通路引起的。为解释这些实验结果，学术界提出了许多理论模型，这些模 型大致可以分为如下四种。 1、 统计渗滤模型 统计渗滤模型大部分为几何模型，即将基体才聊或填充材料抽象为具有某 种形状的分散体系，然后基体材料和填充材料按某种机理复合为整体，而且基 体成为连续相，导电填充材料成为不同程度的连续相或分散相，并由此形成部 分导电通道和导电隧道，在此基础上，需找复合材料的电阻率与导电功能体含 量之间的关系。典型的例子是将基体抽象为尺度和形状不同的球、立方体、长 方体等，而将导电功能体抽象为球、椭球、线状珠串、葡萄状珠串等。这种模 型对于二元复合体系通常是有效的，但是，对于多元体系（基体材料或填充材 料不止一种），尽管能得出相应的模型，但在估计得出的理论值与实验值之间的 误差大小。 2 、 热力学模型 统计渗滤模型虽然可以大致解释复合体系电阻率的变化趋势，但由于过分 突出导电功能体的空间几何特征，几乎没有考虑基体与导电功能体之间的相互 作用，也没有考虑界面效应的影响，其理论预期值与许多实验结果不符，对许 多实验现象也无法解释，对此热力学模型做了相应的改进。 界面自由能热力学模型基于平衡热力学原理，认为行程导电通道时的导电 功能体的临界体积分数VC 与体系的总界面自由能过剩有关。当总界面自由能过 剩超过一个与高分子种类无关的普适参数Δg 时，导电通道开始形成；另外，在 实际成型过程中各种因素的作用将造成两相界面状况的不断变化，而且高分子 基体的熔融黏度越大，功能体粒子的尺寸越小，则分别对“平衡”相分离过程 的抑制和促进作用越大。在此基础上得出的理论模型，临界体积分数VC 的估计 与许多导电高分子复合材料的实验值符合得较好。但界面自由能热力学模型目 前只适用于非极性聚合物基体。 动态界面模型基于分平衡热力学原理，而且说明了导电通道形成的微观过 程。该模型假定每个功能体离子表面都吸附有高分子薄层，其厚度（约15~20nm） 有高分子种类决定，不受功能体表面结构的影响，而且在加工过程中不会被破 坏；在功能体含量较低时，功能体粒子的分布不均匀，既有单个粒子也有聚体 积存在，他们分别被高分子薄层（吸附层）包裹；随着功能体含量增大至某一 定值时，填入聚集体中的粒子间的压缩力将破坏部分粒子的吸附层，粒子可相 互移动至电接触而成为“絮凝态”，并表现为“层”状结构，气候逐渐发展成为 三维导电网络。动态界面模型对复合体系临界体积分数VC 的理论估计值也与许 多实验结果吻合较好。不足之处是，该模型中某些参数尚无明确的物理意义。 3、 微结构模型 微结构模型的建立试图达到两个目的：一是描述各种不同结构复合材料的 导电性；二是通过对材料结构的研究手段来设计聚合物基体导电复合材料。然 而，尽管有一些简单的微结构模型，但并不具备普遍性。 以上三种模型，虽然从不同角度描述了导电复