H薄膜微结构与其高温退火行为研究.pdfVIP

第50卷第 12期2001年12月 物 理 学 报 V.I.50,No.12,December,2001 100(〕一」290/2001/50(12)/2418-05 ACTA PHYSICA SINICA (}2001Chi-Phys.S. a-Si:O:H薄膜微结构及其高温退火行为研究 ‘ 王永谦1)陈长勇’)陈维德1)杨富华2)刁宏伟，) 许振嘉，，张世斌，)孔光临，‘廖显伯，‘ ’‘(中国科学院半导体研究所妥聚态物理中心，表面物理国家重点实验室，北京 100083) a(中国科学院半导休研究所超晶格与徽结构国家重点实验室，北京 100083) (2001年5月30日收到 2001年6月22日收到修改稿) 以微区Ramaa散射、X射线光电子能潜和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PSCV明法制备的氢化非品 硅氧(a-Si:0:H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究 结果表明。-Si:OH薄膜具有明显的相分离结构，富Si 相镶嵌于富。相之中.其中富Si相为非氢化四面休结构形式的非晶硅(a-Si),富。相为Si,0,H三种原子随机键合 形成的Si(),:H(x}1.35)经11509C 高温退火，薄膜中的H全部释出SiO-:H(x二1.35)介质在析出部分Si原子的 同时发生结构相变，形成稳定的Sio,和SO(二二0.64);在析出的Si原子参与下，薄膜中。-5i颗粒固相品化的成核 和生长过程得以进行，形成纳米品硅(oe-Si)研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构，在nc-Si颗粒表面和外围 SO，介质之间存在着纳米厚度的Si0-(.x,0.64)中间相 关键词:a-Si:0:H,ne-Si，微结构，退火 PACC:6140,6146,6170A 2 实 验 引 言 我们采用传统的等离子体增强化学气相沉积 近年来，多孔硅强的室温可见发光的发现M，极 (PECVD)方法，以Si氏,N,0和H2为反应气体，在熔 大的引发和增强了人们企图通过制备低维硅基薄膜 融石英、高阻Si和n-Si衬底上制备一系列不同O 材料与器件以实现全硅光电集成的兴趣和信心.与 含量的a-Si:0:H薄膜，其中气体流量分别为:[Si比 多孔硅、Si/si01超晶格、氢化纳米硅相比较，化学气 (100%)]=5sccm,[N,0(100%)]二5-IOsccm,【H2} 相沉积(CVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si:0:H)薄 =IOsccm，反应气压、衬底温度和射频功率密度分别 膜和由a-Si:0:H经高温退火处理形成的包含纳米 为1.2x133.322P.,225℃和50mw/c耐.将所制备的 晶硅(二一Si)的氧化硅薄膜均同时具备机械强度高、 薄膜样品切割成若干等分，在不同温度下的高纯NZ 缺陷密度低、发光稳定、制备技术简单且与集成电路 气氛中退火 30-in.以微区Raman散射 {micro-Ra- 工艺相兼容等诸多优点，但其发光效率距离实际应 man)对退火过程中薄膜的结构变化进行跟踪研究， 用尚有一定的差距 深人研究薄膜材料微结构、发光 以X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外光谱(vr- 机理及其相互联系对于优化其器件质量和提高发光 IR)对所有样品的结构组分和键构型进行表征和 效率至关重要，然而目前有关a-Si:0:H和--Si薄 分析. 膜微结构和发光机理的研究尚未成熟，基于不同实 验现象的各种理论模型仍处在相互竞争和争论之 3 结 果 中.与此相关的工作迫切需要系统、细致地深人下