注氮硅中光致发光现象及其机制的研究.pdfVIP

　第 19 卷第 9 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 9　 V o l N o 　1998 年 9 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Sep. , 1998　 注氮硅中光致发光现象及其机制的研究 刘渝珍　石万全　陈志坚　姚德成　刘金龙 ( 中国科学技术大学研究生院　北京　100039) 谢　侃　　刘振祥 ( 中国科学院物理研究所　北京　100080) 摘要　通过能量为 100keV , 剂量为 1 ×1018cm - 2 的N + 注入到硅基体中, 经 1000～ 1200℃之间 快速退火后, 形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层. 在室温下观测到主要来自于 45nm 表面层的能量分别为: 33 、30 、2 8 和 2 2 的光致发光. 通过 、 的分析, 确 eV eV eV eV XPS A ES 认了由于氧的插入, 样品中 缺陷, 界面发光中心, 分别是引起 30 和 2 2 N Si O Si SiO 2 eV eV 的光致发光的主要原因. : 7855 , 7361 , 7960 PACC H J J 1　引言 国内外已有不少文章报道了纳米 从紫外光到可见光范围出现了能带分别为 Si3N 4 33 、2 8 、2 7 、2 4 、2 3 和 2 0 的六个可见光致发光发射带. 从纳米 eV eV eV eV eV eV Si3N 4 的能带分裂描述了其物理结构图象并确认了硅, 氮悬挂键缺陷在其光谱性质中的作用[ 1, 2 ] , 但对微晶硅镶嵌 3 4 的发光研究的报道却不多见. SiN 本文通过低能量, 高剂量N + 注入到硅基体上, 经快速退火在其表面形成含氧的 Si 3 4 结构的薄膜, 对 ≥1000℃退火后的样品, 表面观测到了有稳定的较强的可见光致发 SiN T 光, 通过实验讨论了其可能的发光机制. 2　实验 在室温下, 以能量为 100keV , 剂量为 1 ×1018cm - 2 的氮离子注入到经常规抛光, 清洁后 ( ) 的n 型 Si 100 基片中, 经透射电镜检测获得了表面为非晶硅, 靠近表面处为一非晶态氮化 [ 3 ] 硅和受损伤的 Si 单晶层试样 . 刘渝珍　女, 1946 年出生, 副教授, 目前从事纳米材料研究 石万全　男, 1939 年出生, 教授, 从事专业半导体 收到,定稿 668 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报　 19 卷 将上述试样置于 2 型快速退火设备中, 在 2 干燥的氮气保护下, 分别进行 KST L m in