铁电存储器在仪表中的应用.pdfVIP

沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 铁电存储器在仪表中的应用 摘 要：FRAM 是一种新型存贮器，最大特点是可以随总线速度无限次的擦写，而且功耗低。 FRAM 性能优越于 EEPROM AT24C256。 关键词：存贮器；FM24C256；AT24C256；EEPROM 一． 概述： FRAM 是最近几年由 RAMTRON 公司研制的新型存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料， 拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256 是一种铁电存贮器（FRAM）,容 量为 256KBIT 存贮器，它和 AT24C256容量等同，总线结构兼容，但 FM24C256 的性能指标远 大于 AT24C256。在存贮器领域中，FM24C256 应用逐渐被推广和认可，尤其是大容量存贮器， 它的优良特性远高于同等容量的 EEPROM。在电子式电能表行业中，数据安全保存是最重要 的。随着电子表功能的发展，保存的数据量越来越大，这就需要大容量的存储器，而大容量 的 EEPROM 性能指标不是很高，尤其是擦写次数和速度影响电能表自身的质量。FM24C256 在 电能表中的使用，会提高电能表的数据安全存贮特性。 二． 铁电存贮器（FRAM）FM24C256的特性： 传统半导体记忆体有两大体系：易失性记忆体（volatile memory）和非易失性记忆体 （non-volatile memory）。易失性记忆体像 SRAM 和DRAM 在没有电源的情况下都不能保存 数据。但这种存贮器拥有高性能、易用等优点。非易失性记忆体像 EPROM，EEPROM和 FLASH 能在断电后仍保存数据。但由于所有这些记忆体均起源自 ROM 技术，所以不难想象得到他们 都有不易写入的缺点：写入缓慢、读写次数低、写入时工耗大等。 FM24C256 是一个 256Kbit 的 FRAM，总线频率最高可达 1MHz，10 亿次以上的读写次数， 工耗低。与典型的 EEPROM AT24C256相比较，FM24C256 可跟随总线速度写入，无须等待时 间，而 AT24C256 必须等待几毫秒（ms）才能进行下一步写操作。FM24C256 可读写10亿次 以上，几乎无限次读写。而 AT24C256 只有10 万之一百万次读写。另外，AT24C256读写能 量高出 FM24C256 有2，500 倍。从比较中看出，FM24C256 包含了 RAM 技术优点，同时拥有 ROM 技术的非易失性特点。 三． FM24C256 的应用： 在仪表设计中，数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表，它在运行期间时刻都在记 录数据，如果功能设计比较多，那么保存的数据量大，擦写次数比较多。这要求有一个高性 能的存贮器才能满足要求。现在的仪表设计，寿命要求长，数据保存安全期长。目前，FM24C256 是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求，解决了仪表中的设计 忧虑。更重要的是，它的存贮时间短，能够在极短的时间内保存大量数据，解决了仪表在突 然断电时数据及时、安全的存贮。RAMTRON 公司研制的 FM24C256，为了普及使用，存贮指令 和 AT24C256兼容，只是在读写指令和应答是不需要延时，提高了擦写速率。封装体积、功 能管角和 AT24C256 一样，使设计者容易接受和运用。 1 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 2 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 写子程序： WRITE： CLR1 PM.3