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铁电随机存储器的研究进展.pdf
第2 5 卷第6 期 压 电 与 声 光 . 25 . 6
V o l N o
2003年12月 . 2003
P IEZO EL ECTR IC S A COU STOO P T IC S D ec
文章编号:(2003)
铁电随机存储器的研究进展
吴 淼, 胡 明, 王 兴, 阎 实
(天津大学 电子信息工程学院, 天津 300072)
摘 要: 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器, 以其高密度、高速度、非易失性及抗辐
射性而大大优于 目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、
应用及存在的问题, 并指出 1T 结构的铁电随机存储器(FRAM ) 将会成为下一代随机存储器。
关键词: 铁电存储器; 铁电薄膜; 铁电随机存储器(FRAM )
中图分类号: T P 333 文献标识码: A
Re search D evelopm en t of Ferroelectr ica l Ran dom M em or ie s
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W U M iao HU M in g W A NG X in g YA N Sh i
(Co llege o f E lect ron ic s and In fo rm at ion Eng in eer ing, T ianj in U n iver sity, T ianj in 300072, Ch ina)
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Abstract F er ro e lect r ic m em o r ie s w h ich are th e com b in at ion o f fer ro e lect r ic film s an d sem icon du cto r IC h ave
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m any advan tage s su ch a s h igh den sity o f in tegrat ion h igh sp eed th e ch aracter o f non vo lat ile an d an t i rad io act iv i
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ty over m o st o f th e cu r ren t sem icon du cto r IC T h e b a sic p r in cip le s o f in fo rm at ion sto rage ch aracter s an d th e k
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