铁电存储器的原理及应用.pdfVIP

ÿÿÿÿÿÿÿÿ 介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它 摘 要 存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系 列单片机的实际接口，着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 关键词 铁电存储器 FRAM原理 8051存储技术 1 背 景 受到外界条件(诸如磁场因素)的影响，能够同普通ROM 存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。 铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国 FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读 Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器 2 写功耗极低，不存在如E PROM的最大写入次数的问 FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司 题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问(读) 制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了 次数的限制。 0.35μm工艺，推出了3V产品，开发出 “单管单容”存 储单元的FRAM，最大密度可达256Kb。 2.1FRAM存储单元结构 2 FRAM原理 FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但 这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀 FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁 了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储 电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上 单元使用2个场效应管和2个电容，称为 “双管双容” (2T2C)，每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简 化的2T2C存储单元结构如图2(a)所示。2001年Ramtron 铁电晶体中心原子 设计开发了更先进的 “单管单容”(1T1C)存储单元。1T1C 的两个可能位置用 的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每 来保存“ ”和“ ” 1 0 一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品 成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构 图1 铁电存储器晶体结构 (未画出公共参考位)如图2(b)所示。 2.2FRAM的读/写操作 施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运 FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存 动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心 原子会保持在原来的位置。这是由 位线(数据位) 位线(参考位) 字线 于晶体的中间层是一个高能阶，中 心原子在没有获得外部能量时不能 位线 字线 越过高能阶到达另一稳定位置，因