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铁电薄膜、多层膜及异质结构研究46287.pdf
知识和进展
铁电薄膜、多层膜及异质结构研究
朱信华 刘治国
(南京大学固体微结构物理国家重点实验室 ,南京 210093)
摘 要 综述了铁电薄膜、多层膜和异质结构研究的新进展 ,分析了铁电薄膜不同制备方法的优
缺点. 重点介绍了铁电薄膜在铁电存储器、微电子机械系统及热释电红外探测器方面的应用. 指出了目
前铁电薄膜及器件设计研究需要重点解决的一些问题.
关键词 铁电薄膜 ,多层膜 ,异质结构 ,制备 ,应用 ,薄膜器件
FERROEL ECTRIC THIN FILMS ,MULTILAYERED
FILMS AND HETEROSTRUCTURES
Zhu Xinhua Liu Zhiguo
( N ational L aboratory of Solid State Microst ruct ures , N anjin g U niversity , N anjin g 210093)
Abstract Recent studies on ferroelectric thin films ,multilayered films and heterostructures
are reviewed. The advantages and disadvantages of different processing methods for ferroelectric thin
films are discussed. Applications of the films , especially in ferroelectric memories , microelec
tromechanical systems and pyroelectric infrared detectors are described. Some key problems are out
lined.
Key words ferroelectric thin films ,multilayered films ,heterostructures ,processing methods ,
applications ,thin film devices
膜工艺技术的限制 ,铁电存储单元的厚度只能
薄至 100μ
1 引言 m 左右 ,完成电畴反转所需要的开关
( )
电压高达 100V ,这与集成电路 IC 的源电压
铁电体是具有自发极化 ,而且自发极化矢 (5V) 相差甚远 ,将使存储单元占据很大的空
量的取向能随外电场的改变而改变方向的材 间 ,大大降低了存储密度. 此外 , 由于铁电体材
(
料. 这类材料的主要特征是具有铁电性 ,即电极 料的疲劳和存储单元间的“干扰脉冲”即在一
化强度与外电场之间具有电滞回线的关系. 具 个单元寻址时 ,邻近单元有时也会突然发生开
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