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热处理对溶胶-热处理对溶胶-凝胶法制备凝胶法制备 ITOITO 薄膜的光电特性的影响 薄膜的光电特性的影响
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(内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特
010022)
摘要:摘要:本文是以 InCl ·4H O 和 SnCl ·5H O 为前驱物,利用溶胶-凝胶旋转涂膜法以玻璃为基
摘要摘要:: 3 2 4 2
底制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(即 ITO 薄膜)。分别采用四探针电阻测试仪、紫外可见分光
光度计 和 X-射线衍射仪等对 ITO 薄膜的方块电阻、透射谱和物相组分进行测量与表征。研究
了不同热处理温度和不同热处理时间对ITO 薄膜的光电特性的影响。实验结果表明,ITO薄膜
的方块电阻和可见光透射率都与热处理温度和时间有关,且最佳热处理温度为450 ℃,热处理
时间为 60min,其方块电阻为 284 Ω/ □,透射率为 92.32% 。
关键词:关键词:溶胶-凝胶法,ITO 薄膜,光学特性,电学特性
关键词关键词::
The influence of heat treatment for ITO thin film photoelectricity
character by sol-gel preparation
Zhang Lili, Zhou Bingqing, Zhang Linrui, Jin Zhixin, Li Haiquan
(College of Physics and Electron Information of Inner Mongolia Normal University
Key Lab of Physics and Chemistry for Functional Material,Huhhot 010022, China )
Abstract: The Sn doped In O thin films were prepared on the glass substrates by sol-gel
2 3
and rotating film method with InCl ·4HO and SnCl ·5HO. Using the four-probe resistance
3 2 4 2
tester, UV-Vis spectrophotometer, and X-ray diffraction to measure and characterize
the square resistance, the transmission spectrum and the components of an object of
ITO thin film,respectively. The effects of heat-treatment temperature and time on
the optical and electrical pro
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