高温超导涂层导体CeO_2缓冲层的化学溶液法制备与其热反应过程研究.pdfVIP

第 30 卷 　第 2 期 低 温 物 理 学 报 Vol . 30 , No . 2 2008 年 5 月 C H IN ESE J OU RN AL O F L OW T EM P ERA TU R E P H YSICS May 2008 高温超导涂层导体 CeO2 缓冲层的 化学溶液法制备及其热反应过程研究 潘成远 　　蔡传兵 　　应利良　　高 　波 　　刘志勇 　　鲁玉明　　刘金磊 上海大学物理系 ,上海 　200444 本文通过化学溶液法在双轴织构的金属 NiW 衬底上外延生长了 CeO2 超导涂层导体缓冲层薄膜. X 衍射极 图表明其面内外织构良好. 扫描电子显微镜和原子力显微镜观察薄膜表面光滑 、平整且粗糙度低. 采用差热分析研 究了升温速率及样品质量对前驱溶液热反应过程的影响 ,结果表明其热反应主要经历了三个过程 ,其中吸附水的 脱去和醋酸组的解离分别发生在 110～140 ℃与 230～240 ℃两个温度范围内,且受升温速率的影响很小 ,表明这两 个反应都在较短的时间内完成. 而发生在 250～500 ℃温度段的氧化合成反应则需要较长的时间 ,其反应结束温度 与升温速率近似成线性增加. X 衍射分析进一步证实了上述三个热反应过程 ,当温度达到 700 ℃时 CeO2 可以得到 完好的结晶. 关键词 : 双轴织构 ,涂层导体 ,缓冲层 ,差热分析 PACC : 6 150C , 7475 PREPARATION OF CeO BUFFER LAY ER BY CHEMICAL 2 SOL UTION FOR COATED COND UCTOR AND INVESTIGATION ON ITS THERMAL REACTION PROCESS PAN C Hengyuan 　　CA I C Huanbing + 　　YIN G Liliang 　　GA O Bo L IU ZhiYong 　　L U YuMing 　　L IU J inL ei D ep art ment of P hy s ics , S hang hai Uni vers i ty , S hang hai 200444 In t he p re sent wor k , t he biaxially t ext ured CeO2 buffer layer s are p rep ared on NiW sub st rat e s by chemical solution met ho d . Det ailed Xray p ole figure indicat e s t hat t he CeO2 film s have excellent outofp lane and inp lane t ext ure s. Ato mic force micro scop y (A FM) and scannin g elect ron micr