比体积表面能对奈米氧化铝晶粒成长影响.pdfVIP

中国颗粒学会2006年年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会 比体积表面能对奈米氧化铝晶粒成长的影响 游佩青， 颜富士， 汪明仪 喊功大学置源工程系-台南701) 摘要：本研究以表面能观点观察奈米级晶粒的成长现象．实验对三种晶径介于10-20nm的0-A1203粉末，以三种压 力单轴压成型制成生坯，以获得单位体积内所含粉末粒体数目不同，或单位体积内粉体之比表面积量(即比体积表面 积，曲不同之生坯样品．以热差分析获得0-A1203粗化到达相变临界晶径的温度Tp，再透过Tp温度与田及堆积密度 廓的关系分析o_晶粒之成长．结果显示，不受晶径或西不同的影响，0-晶粒之成长速率接近定值．晶粒系统具同一哪 值者将在同一温度开始成长，西越大其开始成长温度越低．而具同一堆积密度者将在同一温度到达相变临界晶径．同 时在成长过程，粗晶粒有等细晶粒成长至同一体表面积再一起成长(等比体积表面积成长)的现象． 关键词：氧化铝；表面能；晶粒成长 1前言 surfac—e o：—specific ’ volume(cm3／g、d specific 随着奈米时代的来临，奈米相关领域的研究受到世 其中，6为粒体形状系数，d为粉末平均粒径，而扫为 界的普遍关注，而奈米材料则成了当今奈米领域中最有 粉末之堆积密度． 前景的研究方向之一．然而，奈米颗粒乃奈米材料之基 本实验采用三种不同晶径的0_Ab03粉末，以三种 本元素。因此制备高质量的奈米颗粒是获得多种高性能 压力单轴压成型获得不同堆积密度彦试样，代表9种不 奈米材料之前提，而奈米粉末的制备就成了研究奈米材 同比体积表面积田之样品，再透过DTA对9种试样进 料之基础．以Bottom-up概念制作奈米粉末，一般会面 行相变高峰温度瓦观察．由于0·一a-Akq存在相变临 临晶粒成长的问题，但这方面一般多沿用巨观的 界粒径的现象，因此，相变放热高峰温度瓦的发生亦代 Ostwald ripening理论．如能了解奈米粒子的成长机制， 表大量0．晶粒成长至相变临界粒径．若于DTA实验中 对改进或提升奈米粉的功能必有绝对的贡献． 控制升温速率维持一定值，则瓦温度的到达即表示0一 奈米Ⅱ-A1203粉末为最近开发诸奈米粉末产品中最 晶粒成长至相变临界粒径所需的时间．因此，透过西及 受瞩目的一种．原因是得到100nm以下高相纯度的 堆积密度彦与瓦温度的关系，即可对0一晶粒之成长现 ix-A120，粉末仍是一高难度技术o-6]．最近的研究‘”1发 象进行分析． 现，获得a-A1203粉末过程中，O-一a-A1203的相变系存 nm,dc。。一17 2实验方法 在相变临界晶径(dc0—25 rim)与基础晶径 (蠢4500mn)的现象，而相交完成晶径(瘟)则约为100