利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在 厚膜 外延中的应用 尹志军 钟 飞 邱 凯 李新化 王玉琦 中国科学院材料物理重点实验室合肥 摘要使用分子束外延 技术在 面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓 薄膜利用不同极性面 的 薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异混和极性样品经腐蚀处理后得到了一层具有多孔结构的 层 以 多孔结构的 作为缓冲层用卤化物气相外延 方法生长 厚膜 射线双晶衍射和光致发光等测试 结果表明多孔结构的缓冲层可以有效地释放 厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力使 厚膜晶体的质量得到很大提高 关键词极性多孔应力释放 中图分类号 文献标识码 文章编号 层质量最好是选择 衬底进行同质外延 由于 引言 方法具有极高的外延生长速率并可以得到 相对质量较高的外延膜使生长 厚膜并通过剥 以 为代表的氮化物半导体材料具有禁带 离方法得到自支撑的 衬底成为可能 目前许多 宽热导率高电子饱和漂移速度大和介电常数小等 研究人员已成功地利用 方法在