硬件-薄膜科学发展概况.pdf

薄膜科学发展概况 及薄膜制备方法简述 1. 薄膜科学发展概况 2. 薄膜制备方法简述 1. 薄膜科学发展概况 随着固态高科技产业(集成电路产业、固体发光和激 光器件产业、磁记录材料和器件产业等) 的迅速发展，薄 膜科学和技术愈来愈受到重视，其原因是薄膜的研究和开 发对生产的贡献日益增大，使用的单项设备和实验仪器是 接近的(当然整体规模上有很大的差距) 。这些产业的另一 个特点是，要求工艺的控制精度达到纳米级水平。例如， 美国半导体工业界到2001年集成电路中的特征尺寸已经达 到l50 nm 、互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件中栅氧 化物的厚度为2～3 nm ，作为欧姆接触的金属硅化物层的 厚度为45 nm 。随着集成电路的使用频率的不断增大，这 些尺才还将不断减小。半导体激光器件中广泛使用的量子 阱和超晶格材料的单层厚度一般为10 nm。近年来在磁头 材料中引起广泛关注的巨磁电阻金属多层膜的单层厚度是 1nm量级。 正是由于这种情况，薄膜领域中科学研究和生产的联 系变得十分紧密。没有对薄膜生长的原子过程的深刻了解， 没有在此基础上制定出来的高超的薄膜生长工艺，要使集 成电路的运行速度不断提高，要使固体激光器的寿命达到 几万小时，要利用巨磁电阻现象提高磁记录密度，都是不 可能的。 这些年来，在高科技产业需求的推动下，薄膜科学研 究的深度和广度不断发展，这主要表现在： 1. 为了不断提高器件的性能，要求通过外延生长出 缺陷很少的单晶薄膜，要求它们具有特定的组态(二维单 晶薄膜组成的量子阱和超晶格、一维的单晶量子线、零维 的单晶量子点等) 。例如，已经在精确定向的邻晶面衬底 上外延生长了包含量子线或量子点的薄膜。 2 ．希望深入了解薄膜外延生长的原子过程，特别是 了解促成二维逐层生长的条件或三维岛优先横相生长的条 件，以便更好地控制薄膜工艺。这里的一个突出例子是通 过三维岛优先横相生长得到了缺陷较少的GaN外延薄膜， 为GaN蓝色固体发光管和激光管产业的兴起提供了材料基 础。 3 ．改进和发展新的薄膜工艺，以便更好地控制薄膜 的结构和性能。除了改进分子束外延、金属有机化学气相 沉积(MOCVD)等方法使它们达到原子级精度外，还发展 了多种溅射方法、脉冲激光熔蒸(ablation)或脉冲激光沉 积(deposition)方法等。 4. 为了精细地观察薄膜生长过程，改进和发展了一系 列纳米级、以至原子级的研究方法。这里最突出的例子是 多种多样的扫描探针显微术。目前，不仅扫描电子显微镜 早已纳入集成电路生产线，高分辨透射电子显微镜和扫描 探针显微镜也已经在许多高科技产业的检测部门中发挥着 十分重要的作用，例如Intel公司就一贯用最先进的仪器武 装它的检测部门。 薄膜的研究丰富了凝聚态物理的内容。高质量的半 导体异质结、量子阱和超晶格、量子点，为发现量子霍尔 效应、分数量子霍尔效应、量子尺寸效应、单电子隧穿效 应提供了材料基础。薄膜的研究推动了晶体学的发展，例 如在超高真空中用原子级分辨率的扫描隧道显微术得出了 增原子的表面扩散激活能，观察到密排衬底上超薄膜的分 形生长和再构表面上的各向异形生长以及邻晶面上的台阶 流动生长模式，从而扩展了晶体的成核长大理论。 薄膜的研究和开发为微电子学、光电子学、磁电子学 等新兴交叉学科的发展提供了材料基础，高质量薄膜的生 长工艺、有关薄膜的组成、晶体结构和物理性能成为这些 新学科的重要组成部分。 作为现代晶体学的组成部分的薄膜生长和相关的基 础学科有着密切的联系。这些学科(如表面物理、金属物 理、衍射物理等) 为薄膜科学技术的发展提供了坚实的理 论基础。例如要深入了解薄膜生长的原子过程，需要有关 衬底表面原子结构和薄膜中的缺陷和扩散的基础知识。 因此本课程主要有三部分组成。即薄膜材料及制备 技术概论、薄膜研究方法、薄膜材料的物理特性研究。 下面简单介绍几种最主要的薄膜材料和薄膜器件的 发展概况： 1. 高T 超导薄膜 c 自从1911年翁纳斯(Onnes)发现超导现象以后，许多 科技工作者为了探求超导机理、寻找新超导材料和研究超