衬底温度与生长速率对In_(0.2)Ga_(0.8)As分子束外延薄膜生长影响.pdfVIP

第 31 卷第 5 期 2009 年 9 月 Vol. 31 No. 5 Journal of Tangshan Teachers College Sep. 2009 衬底温度和生长速率对In0.2Ga0.8As 分子束外延薄膜生长影响 白晨皓，杨瑞霞，张 强，贾月辉 （河北工业大学信息学院，天津 300130 ） 摘 要：采用分子束外延生长技术，在 GaAs 衬底上制备 InGaAs 外延材料。实验结果表明，衬底温度直接决 定了 InGaAs 材料制备过程中 In 原子在界面间的渗析和 In 原子在外延层表面迁移，影响了 InGaAs 外延材料的生 长模式；生长速率影响着 InGaAs 外延层的质量。实验结果表明，通过调整衬底温度和生长速率，在衬底温度为 500 ℃，生长速率为 1200nm/h 时，制备出的样品结晶质量和表面形貌最好。 关键词：分子束外延；衬底温度；生长速率 TN919.5