国际半导体技术发展路线图ITRS2009年版综述5.pdfVIP

L一产业发展 烹烹惹腮烹凼U 国际半导体技术发展路线图 (I 本刊编辑：为国译 4．7新兴材料研究 择性刻蚀、清洁及淀积工艺的定向白装配材料。互连 材料包括对可能的超薄铜阻挡层和低K层间介质 2009年“新兴材料研究”一章是2007版的更 新。2009年的“新兴材料研究”一章已经重新组织，材料的考察，以扩展铜互连，以及单壁和多壁碳纳米 针对不同的应用来考察材料，而2007版的“新兴材管，用于通孑L和互连放置的单品纳米线。装配和封装 料研究”一章则根据未来的路线图需求来考察材料 材料考察了用于低温装焊和各向异性导电互连材料 及其可能的应用。2009版的“新兴材料研究”一章的纳米金属、用于高电流芯片到封装互连的碳纳米 考察了新兴逻辑器件及存储器器件应用、光刻(包 管，以及使用纳米颗粒和高分子来传送封装多聚体， 括新的光刻胶材料)、前端T艺和工艺集成及器件 以满足多个为了满足底部填充、模塑化合物和多种 应用、互连，以及装配和封装应用等。本章还研究了 黏附性应用而需要满足的、相互冲突的特性。 计量、建模和环境、安全和保健的需求，以支持这些 “新兴材料研究”和“新兴器件研究”这两章还 材料及其可能的应用。尽管这些新兴材料有潜力作 强调了对基于碳的电子器件的研究(例如碳纳米管 为未来技术需求的可能的解决方案，但是仍然需要 和石墨烯)，用于潜在的替代性沟道材料应用，或作 取得更大的进展，才有可能用于未来的技术。 为超越CMOS器件应用的潜在候选技术。 除了重新构建“新兴材料研究”一章以专注于 困难和挑战 应用之外，还增加了几种新的应用和材料。用于新 当前的亚16nm“新兴材料研究”的困难和挑 兴器件研究的材料包括：“替代性沟道材料(包括对 战总结在表ITWG6。新兴材料研究的最为困难的挑 锗、III—V族化合物半导体、石墨烯、碳纳米管和纳米 战可能仍将是按时提供能够具有可控的、期望的特 性的材料选择，并对决策形成及时的影响。这些材料 线等的关键评估)”、用于不基于电荷的超越CMOS 器件的材料，和用于存储器的材料的新的一节。光刻 选择必须要展示出在20nm尺度上能够实现高密度 材料已经在定向自装配材料的基础上二进行了扩展， 新兴器件、光刻技术和互连制造等方面的潜力，并能 够扩展到几纳米量级。为了改善纳米级材料特性的 包含了非演化的193nm波长光刻材料，EUV光刻 可靠性，需要在研究界进行通力协作。需要加速进行 胶材料包括非化学放大的光刻胶(Non—CAR)、负 胶等，用于节距划分的材料，新兴的EUV方法包括 综合、方法学和建模技术的开发，以加强材料达到设 计目标的能力，并实现有生命力的材料技术。还需要 负像阳离子法、负像Non—CAR、无机一有机混合和 改善的计量和建模工具，以指导这些新兴的纳米材 其它Non—CAR材料。用于前端工艺的材料和工艺 考察了大量的技术，用于确定性杂质放置和用于选 料的强健综合方法的演进。很多新兴材料的成功依 ‘～“一，^．．．…一：……一 万方数据 出J爿巾国集成电路 。‘”’“。 ihCCircu