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S1℃’99
HI S结构的制备及气敏特性研究
A920-Sn02
何秀丽+李建平高晓光王利戴圆瑞‘
中国科学院电子学研究所传感技书国家重点实验室，北京100080
‘吉林走学电子工程系，长春130023
摘要
●
NO及甲苯均不响应，表现出良好的H：S选择性。
一引言
管、MOS和MISFET结构等固态场效应气体传感器的研制。这些器件对气体的检测，是利
用吸附被测气体时器件的电学特性发生变化，主要表现在I—V特性的改变、平带电压的移动、
阂值电压以及漏电流的改变等。此类器件的基本结构为“金属”一绝缘体～半导体，应用不
同的催化金属栅(如Pd、Pt及其它资金属尸可对含氢气体进行检测，而采用选择性金属撮结
构或催化金属栅与气敏氧化层复合结构，则能检测非含氢气体。W．P，Kang等人最早提出
Pd-Sn0。MIS电容型氧传感器H翔，现已发展成为一种新型的气体传感器，其结构为催他金属
化功能及氧化物的气敏特性子一身．提高丁器件的性能。
二实验
0．SmmX0．8mm的Si抖4孔，用光刻剥离法
(1谂-a毋在其周围制作1000A框状pt膜作为
二报管的一个电极，去豫原有Si02，制各50A
厚的Si融作为二极管的界面阻挡层。背面 ?
蒸发5000hAl膜形成欧姆接触。SnO：膜是 r———]—Ag舢嘎
在气压为lPa的Af和02混合气氛(Ar：02兰二二==二曼b—s弛
毫
=7：3)中射频溅射SnO：靶制备，溅射功率 一—L—si
7．5W／era2，膜厚～lOOOA；在同样气氛中直
AI
r———————————————：=L
流反应溅射Ag靶制备A920，压强为O．5Pa，
溅射功率O．6W，cm2，膜厚300h。敏感膜在
大气中400℃退火2小时。采用静态配气法
彗譬要叁戛生墨墨茎据采集的测试系统测试 鹰1．Mls结构原理示惠固…。1…
器件的气敏响应特性。
三结果及讨论
H2S气氛中
MIS器件在150℃的加热温度下，在空气以及4ppm
圈2给出了A920-Sn02
的I．V特性曲线，其偏压范围为．5V至+3V。反向偏压为5v时仍未击穿，正向开启电压很
小。可见器件表现出良好的二极管特性。当置于4ppmH2S气氛中时，正向曲线变陡，即同
一偏压下，电流相应增大。而通八H：S气体前后反向特性无变化。
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圉2器件在不同气氛中的I．V特性曲线 罔3不同偏
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