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低能强流细束电子束的研究 郑思孝錾竞戚 四川大学原子核科学技术研究所 辐射物理与技术国家●女委开放实验室．成都610064 摘要本文介绍低能强漉细束电子束的研制，研究了独立阳极和单透镜的组合，在高电场引出后减 速．经单黼聚焦传输，获得了比同样能量的纯单透镜引出流强高113的电子流强，讨论了电子 柬流强与能量及电子枪备参量同的相互影响的关系。 关键词：强流低能电子束I且k阴极独立阳极 簇团结构研究的需要．使具有KeY能量的毫安级强漉电子束与-ev能量的Ⅱ：+簇团的交叉 碰擅实验成为原子分子物理的重要的活跃领域。低能电子柬与离子束效碰擅截面的差异．提出了 对低能电子束能量、流强可变和会聚的主要要求。本文介绍低能强流细束电子柬系统的设计和实验 结果。 1．低能电子束系统瓣设计与结构 低能强漉电子枪光学的理论和考虑柬流空间电荷扩张效应的传输透镜计算机摸拟是设计低能强 流电子枪的基础。尽量短的黼系统的物距和LaB·阴极的高的平面电子发射能力已为强流电子枪 提供了有力保障1’“。l‘。 鉴于本电子束系统需置于口400mm的靶室内．我们采用的1×1m2I^k阴杌电子枯体长约 60m。电子束引出成形系统，采用四电掇透镜构成始终会聚同隙为0．1G的单透镜，长约60∞． 由3根嘲瓷支戴以螺纹蘩固为一体，如图1。 挈 图1．电子柬系统结构示意图 电板3可独立引入阳极电压．当3．4．6短结时．则成为典型单透镜系统。 一 子枪的r，j极电压相较棚电压较低．所以当电子束处于电极5时可以认为其能量比为0。 由能量允0时的单透镜的光学参量和成像公式，以象点处的放大倍数为1，倒推出单透镜的物点为 1．85D(41m)，象点在透镜中心U右侧1．53D(34m)。 2．阴极面内凹0．8mm时，电子枪特性 8 阴极面内凹0 m．加热电流3A．相同栅极偏压一5v时，不同引出电压下总电子浇靶流 和地电极损耗电流同关系如表一。 表一表明．阴极内凹0．8∞．仅负几伏的低的栅偏压．可形成良好的电子发射西：随着引出电 压的增加，引出电子流堪强；空同电荷的增强影响电子的散鬼，使地电极上的柬流损耗增加。 64 表一阴极面内凹08m．电子枪特性(栅压一5V) 引出电压0【Y105 0．8 1 1．5 18 24 55 7．3 132 157 总 流(mAl 21 48 6．3 11 132 靶 流(mA} 03 O7 1 2．2 25 地电极(mAl 3阴极面内凹0．2岫的电子枪特性 阴极面内凹0．2∞．加热电流3A．不同{l出电压下和固定IkV时．零棚倡压能引出的最大电 子流和使地电极损耗小于o5mA下所需的负棚偏压闻的关系如表二。 表二不同电压下的最大电子发射流和最大靶漉 棚压(一V) —65，0 一B8／0 —12810一]6010 -16010 48／0 05 08 1 1 5 1 8 2 引出电压(一kv)1 总 流 髓A 3．2／9 0 6 17，3t．5 208[40 6．51178．3／20 12130．5 靶 流 m^3．1／4 12 5 5．2／e．58／8，4 6I]0 16，e／12 20．5／t6 0．1／6 0．3，11 0 o 5 地电极 1 3n0 03