压电致动微型泵.pdfVIP

STC’99 量 王晓浩周兆英 清华大学精密仪器与机械学系微型机械与控制技术研究塞 北京100084 ● 摘蔓：本文介绍了一种压蛔晒H歙螺的设玳加工和澍试·漉髓瞪厚度为llp．m，象脚l 365pl／min。囊大背压为2．38kPat流量控制糟度优于llal· 一、介绍 微型泵是一种有广泛应用的重要的致动器【1j， 的压电片致动微型泵，蔼内第一个微型泵是清华大学在1994年研制的双金属热致动泵脚。 和其它致动方式相比，压电致动的位移和驱动力相对较大。压电致动有几种不同的形式，如 压电堆{41、压电片口l、压电薄膜№】和双层压电粱【7l等。 二、设计和操作原理 图I是微型泵的整体结构简图。微型泵的泵膜和微型阀的阀片都是采用重掺杂自停止腐 蚀技术研制的。泵腔是近似圆形的，和方形泵腔相比，这种泵腔可以有效地减小泵膜应力集 中，减小气泡存留，更容易清洗。两个微型阀芯片采用对称设计，可以用同样的光刻图形， 加工在同一个硅片上。微型阀的阀片是悬臂粱。压电梁的一端固定在金属专用支座上，另一 端固定在泵膜的中心。 微型溷的致动基于逆压电效应。双层压电梁加载电压的时候两个梁的加载方式相反，整 个双层粱弯曲变形，它安装在泵膜上的一端会在垂直方向振动，带动泵膜变形。和其它致动 方式相比．压电致动是真正的双向致动，泵膜上F变形都受致动力作用。 ^ 基 图I微型泵的整体结构简图 图2泵腔芯片的加工工艺流程简圈 图3泵腔芯片SEM照片 3．1泵腔芯片的加工工艺流程 泵腔和泵膜在同一个芯片上，基底是P型双抛(100)单晶硅，厚度380¨．m。整个芯 片的加工工艺流程简图见图2。首先，对硅片做专门清晰后．在硅片表面傲浓硼扩散，使得 膜片厚度深度的硼密度达到5×1019cm～。然后，磨掉硅片背面的自停止层，重新抛光。将硅 蕾 片热氧化，图形化硅片背面的氧化层，实用EPw腐蚀液进行体硅腐蚀至自停止层后，得到 需要的泵腔和泵膜。图3是微型泵泵腔的SEM照片。 3．2锻型嗣芯片鲍加工工艺漉程 微型阀的基底也采用P型双抛(100)单晶硅，厚度380pm。图4是加II艺流程简图。 墓 首先，清洗硅片，扩散自停止层，阀片的厚度和泵膜的厚度并不相同，现在自停止层厚度控 制耩度达到5％：然后，在硅片背面甩胶后光刻，RIE腐蚀穿自停止层后去胶：热氧化后图 形化正面的氧化层，然后在EPw腐蚀液中进行体硅腐蚀至穿透；最后，在HF缓冲液中腐 蚀氧化层．释放阀片和阀口结构。图5是悬臂梁阀片结构的SEM照片。 ● 瑟盛盘 四9-sio·_E№h” 图4微型阀芯片加工工艺流程 圈5悬臀粱阀片SEM照片 Flow“1／m哟 I， 0 l!!