压阻式硅基传感器的温度补偿方法研究.pdfVIP

压 阻式硅基传感器的温度补偿方 法研 究 郭 涛 ，石云波 ，张文栋 (教育部仪器科 学与动态测试重 点实验 室 ，华北工学院电子工程 系，山西 太原 030051) 摘要 ：介绍 了压 阻式传感 器的温度补偿原理及补偿 方法 ，详 细 阐述 了硅 压 阻式加 速度传 感 器 3028 的补偿方法 ，给 出了实验数据 。该补偿方法使用元器件少，补偿 简单 ，具有很强的实用性 。 关键词 ：pn结 ；温度补偿 ；压 阻传感器 中图分类号 ：TP212 文献标识码 ：A 文章编号 ：167卜4776(2003)07／08～0489—03 Studyon thetemperaturecompensation method ofpiezoresistancesilicon film sensor GUO Tao，SHIYun—bo，ZH ANG W en—dong (TheMinistryEducationKeyLabforInstrumentationScience DynamicMeasurement， DepartmentoJElectronicEngineering，NorthChina InstituteofTechnology，Taiyuan030051，China) Abstract：Thetheoryandmethodoftem peraturecompensation ofpiezoresistancesensorarede— scribedinthispaperwithemphasisonthesiliconpiezoresistanceaccelerationsensor3028．Exper— imentdataareshown init．Thefeaturesofthiskindofcompensationmethodareusingfew corn— portents，easycom pensationandpowerfulpracticability． Keywords：pn—junction；temperaturecompensation；piezoresistancesensor 结的温度 系数约为 一2．5mV／℃，这个特性正好可 1 引 言 用来作为补偿元件 。 近年来 ，随着微 电子技术 的发展 ，利用 MEMS 2 补偿 方法 技术制作 的传感器在各种性能方 面有 了很大 的提 高 ，已广泛应用于科研 、工业 、航空航天等领．域 。但 2．1 片 内补偿 是 ，硅基传感器的主要材料是半导体硅 ，它受温度影 把压敏元件与温度补偿 电路集成在一起 ，可 以 响 比较大 ，目前 ，在桥式 电路 中，尽 管 4个压敏 电阻 保证他们之间的一致 。如图 1所示 ，电阻 R ，Rz和 的一致性可 以做得很 高 ，但要在 一4O℃～6O℃这样 晶体管 T构成温度补偿 电路 ，电阻 R ，Rz也为压敏 大 的范 围内，使输 出达到很好 的温度特性 ，还 是需要 电阻，其变化方 向如图，它们与传感器的电桥处于同 进行温度补偿 。 一 温 区，可 以精确敏感 电桥工作温度 的变化 。静态 在 当前 国 内所采用 的温度补偿方法 中，有些方 时 ，随着温度升高 ， 下降引起 V 下降，V 的下降 法运算繁琐 ，并且需要使用多个 电阻，不利于减小传 使桥路 的实际供 电电压 增大 ，以补偿压敏 电阻 感器 的体积 。而 目前 国外较先进 的补偿模块 ，如 灵敏度在升高时的下降，通过选择 R 和 Rz的适 当 MAX1457、MCA7707等 ，虽然可 以将传感器 的温漂 比值可 以使输 出电压 的温度系数为零