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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
January Acta Phys. Chim. Sin., 2010, 26(1) ：253-258 253
[Article]
退火时间对6H SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响
军1 刘忠良1,2 康朝阳1 闫文盛1 徐彭寿1,*
潘海斌1 韦世强1 高玉强3 徐现刚3
(1 中国科学技术大学国家同步辐射实验室, 合肥 230029; 2 淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院, 安徽淮北 235000;
3 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南 250100)
摘要： 在分子束外延(MBE)设备 , 采用高温退火的方法在6H SiC(0001)表面外延石墨烯, 并研究了退火时间
对外延石墨烯形貌和结构的影响. 利用反射式高能电子衍射(RHEED) 、原子力显微镜(AFM) 、激光拉曼光谱
(Raman)和近 X 射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征. RHEED 结果发现, 不同
退火时间的样品在SiC 衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹. AFM 测试表明, 外延石墨烯的厚度随退火
、
时间增加而增大, 且样品孔洞减少 表面更加平整. Raman 测试表明, 外延石墨烯拉曼谱 2D 峰和G 峰的位置
相对高定向热解石墨(HOPG) 2D 峰和G 峰的位置蓝移, 且退火时间增加, 峰的蓝移量减小. 对样品 碳
原子K NEXAFS 谱测量显示, 样品 存在sp2 杂化的碳原子, 退火时间增加使碳原子的1s 以及1s 滓 吸
收的强度增大, 且1s 电子到 态的吸收峰相对HOPG 的向高能偏移.
关键词： Raman; 石墨烯; 6H SiC; 退火时间; RHEED; AFM; NEXAFS
中图分类号： O649; O484; TN304
Annealing Time Dependence of Morphology and Structure of
Epitaxial Graphene on 6H SiC(0001) Surface
TANG Jun1 LIU Zhong Liang1,2 KANG Chao Yang1 YAN Wen Sheng1 XU Peng Shou1,*
PAN Hai Bin1 WEI Shi Qiang1 GAO Yu Qiang3 XU Xian Gang3
1
( National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science Technology of China, Hef ei 230029, P. R. China ;
2School of Physics and Electronic Inf ormantion, Huaibei Coal Industry Teachers College, Huaibei 235000, Anhui Provinc
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