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第 26 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 10 2005 年 10 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Oct . ,2005 拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响 张丽芳1 ,2 　胡慧芳2 ( 1 天津商学院理学院 , 天津 　300 134) (2 湖南大学应用物理系 , 长沙 　4 10082) 摘要 : 在紧束缚近似基础上 ,利用扩展的 SuSchrifferHeeger ( SSH) 模型 ,在实空间中计算了理想的“zigzag ”碳纳 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 米管中分别引入 5/ 7 ,5/ 6/ 7 ,5/ 6/ 6/ 7 拓扑缺陷所构成的 9 ,0 8 ,0 , 9 ,0 7 ,0 和 9 ,0 6 ,0 三种系统的能带 结构和电荷密度 ,并对这三种系统的计算结果进行了比较. 结果表明 ,拓扑缺陷五边形和七边形在碳管中沿轴向的 不同分布对碳管电学性能的影响明显不同. 因此 ,可以研制出基于这些异质结的不同电子器件基元. 关键词 : 碳纳米管 ; 分子结 ; 异质结 ; 拓扑缺陷; 电荷密度 PACC : 6 148 中图分类号 : O474 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) “zigzag ”碳管的管壁中沿轴向分别引入 5/ 7 ,5/ 6/ 7 , ( ) ( ) ( 1 　引言 5/ 6/ 6/ 7 缺陷所构成的三种系统 9 ,0 8 ,0 , 9 , ) ( ) ( ) ( ) 0 7 ,0 和 9 ,0 6 ,0 的电学性能 ,并对这些系统 碳纳米管的出现 ,不仅引起了科学界的极大兴 的能带结构和电子态密度进行了比较. 本文在此基 趣 ,而且引起了半导体行业的关注[ 1～3 ] . 因为它不仅 础上 ,进一步计算了这些系统的电荷密度 , 结果表 是一种在纳米尺度具有完整分子结构的新材料 ,而 明 ,拓扑缺陷五边形和七边形沿轴向的不同分布将 且具有很多优异的电学性能. 自从 1998 年碳纳米管 影响整个碳管中电子在格点上的分布曲线. 由此 ,可 被应用于制作室温下场效应晶体管以来 ,在碳纳米 以更进一步了解不同分布拓扑缺陷对碳管电学性能 管制作纳米尺度的分子器件的研究方面取得了很大 的影响 ,为研制出基于这些异质结的不同的电子器 的进展.