制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能影响1.pdfVIP

第27卷 增刊 半 导 体 学 报 Vol.27 Supplement 2006年 12月 CHINESEJOURNALo F SEM ICONDUCTORS Dec.,2006 制备条件对GeeSb2Te5薄膜电学性能的影响 ‘ 夏吉林 刘 波卞宋志棠 封松林 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 200050) 摘要:研究了磁控溅射制备GeeSb2Te5薄膜时，制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响 主要通过测量薄膜 方块电阻随退火温度的变化情况，探索GeeSb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明，不同溅射功率下制备的薄膜经 不同温度退火后方块电阻没有明显的区别，而随着溅射气压的上升，薄膜方块电阻随退火温度的增加，下降的速率 增加，意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低. 关键词:GeeSb2Te5;电学性能;制备条件 相变 PACC:7360L;9160H 中图分类号:0484 文献标识码 :A 文章编号:0253-4177(2006)SO-0155-03 0.1Pa变化到0.8Pa.膜厚为100nm.薄膜样品经由 1 引言 N:气氛下，不同温度退火 Imin后，用四探针测量 其方块电阻，而其相应的晶体结构由X射线衍射仪 相变材料的研究，始于二十世纪二、三十年代. (XRD)测定. 目前，随着非挥发性相变存储器概念的提出和研究 的需要，相变材料的研究逐渐成为热点.相变材料具 3 结果与讨论 有非晶和多晶两种结构.多晶态电阻较低，非晶态电 阻高，而这两种结构可以通过电流操作实现可逆互 图1给出了沉积速率随溅射功率的变化情况. 变.相变存储器正是基于这种原理提出的一种电可 此时的溅射气压为0.1Pa.从图中可以看出，溅射功 擦写非挥发性存储器，它也被认为最有可能替代 目 率为100W时，沉积速率为14nm/min，而溅射功率 前的闪存技术，成为下一代存储技术[[1,21 增加到20OW后，沉积速率也增加到30nm/min.相 作为相变存储器的关键部分，相变材料的性能 应地，30OW时速率为42nm/min.可见，大功率直接 尤为重要.目前，相变材料主要是硫系化合物合金材 导致沉积速率的增加， 料.如二元材料体系:InSb,InSe,Sb2Te3等;三元材 4 5 料体系:GeSbTe,InSbTe等;四元材料体系: 4 0 ︵ 层 日 AgInSbTe,(GeSn)SbTe,GeSb(SeTe)等[31.其中， 资 口 3 5 5 GeSbTe体系被认为是最成熟的材料体系，而 心 、 3 0 GeeSb2Te5是目前公认的最适合的相变材料.因此， ﹃ 0 。 1 。