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数字电子技术基础 半导体基本器件及其电路 半导体基本器件及其电路分析 一、半导体基本器件 1、PN结 本征半导体 杂质半导体 载流子的运动 PN结（PN Junction） PN结中载流子的运动 不对称P+N结 PN结的导电特性 PN结的伏安特性 PN结击穿特性（反偏） 2、半导体二极管 二极管的符号 二极管结构 二极管的伏安特性 二极管主要参数 3、双极型三极管 NPN型BJT PNP型BJT BJT的放大工作原理 三极管的其它工作状态 三极管的基本组态 三极管的伏安特性曲线 三极管的主要参数 4、场效应三极管（FET） 绝缘栅场效应管(MOSEFT) NMOS管工作原理 NMOS管工作原理 伏安特性与电流方程 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的伏安特性 结型场效应管(JFET) 场效应管的主要参数 共基极(CB) ，共基组态 共基直流电流放大倍数 E区自由电子到达C极形成的电流与E极电流之比 输入：E极 一定条件下，输入/出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件 输出：C极 公共端：B极 共发射极(CE) ，共射组态 共射极电流放大倍数 到达集电极的电流与基区复合电流的比值 输入：B极 一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件 输出：C极 公共端：E极 穿透电流 共基—共射电流放大倍数的关系 共射： 共基： 共集