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6PN结及其特性 9 整 流 电 路 10 滤波电路 11 硅稳压管稳压电路 本次课内容 1、什么是半导体 2、半导体的三大特性 4、半导体的共价键结构 5、本征半导体和杂质半导体 6、PN结及其单向导电性 7、二极管及其特性和应用 8、特殊二极管及应用举例 9、单相桥式整流电路 10、滤波电路 11、稳压二极管稳压电路 作业： P.217. 分析与思考 P.219. 分析与思考 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质；硅、锗、砷化镓、金属氧化物和硫化物等都是半导体。 ? 1 什么是半导体 2 半导体的三大特性 热敏性 光敏性 掺杂性 3 半导体的共价键结构 带正电的原子核与若干个带负电的电子组成原子。外层电子的自由度较大，容易挣脱原子核的束缚而成为“自由电子”。最外层的电子叫做价电子。 半导体的共价键结构 半导体一般都是单晶体结构。 4 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体。  本征激发：热激发 电子-空穴对 复合。 在一定温度下载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的，载流子的浓度是一定的。 5 掺杂半导体  P型半导体 掺入三价元素:硼、镓等。 空穴浓度远大于电子浓度，主要靠空穴导电，称为P型半导体、空穴型半导体。 掺入的三价杂质原子，变成了负离子，被固定在晶格中不能移动，不参与导电。由于热运动还产生少量的电子-空穴对，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。  N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素杂质，如磷、锑、砷等。 N型半导体、电子型半导体。 注意：虽然杂质半导体中有大量的多数载流子，但由于带有相反极性电荷的杂质离子的平衡作用，对外表现都是电中性的。 一、 PN结的形成 内电场阻碍多子的扩散；引起少子的漂移。 二、PN结的单向导电特性 加正向电压，即P区接电源正极，N区接负极，外电场与内电场方向相反，阻挡层变薄。PN结的正向电阻很低，处于导通状态。 PN结加反向电压,外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使阻挡层变厚而截止。 反向电流由少子漂移运动形成，随温度升高而增多。在一定温度下，反向电流不仅很小，且基本上不随外加反向电压变化，故称其为反向饱和电流。  7 半导体二极管 7-1 二极管的结构 阳极或正极 阴极或负极 点接触型 面接触型 7-2 二极管的伏安特性 正向特性 外加电压较小，外电场还不足以克服死区电压的作用，几乎无电流经过。死区电压的大小与管子的材料及温度有关。一般硅管为0.5 V，锗管约为0.2 V。 正向导通电压：一般硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。 反向特性：二极管加反向电压时，电流很小，且基本上不随外加电压而变化。一般硅管的反向电流要比锗管小得多。 反向击穿特性 反向击穿电压。加在PN结中很强的外电场把价电子直接从共价键中拉出来成为载流子参与导电的击穿，叫齐纳击穿；强电场使PN结中的少数载流子获得足够的动能，去撞击其它原子，把更多的价电子成为自由电子，如同雪崩一样，叫雪崩击穿。 去掉反压，二极管仍能恢复工作，属于电击穿。 电击穿时间长了就会发生热击穿。 7-3 二极管的主要参数 （1）最大整流电流IFM IFM是指长期工作时，二极管能允许通过的最大正向平均电流值。 （2）最高反向工作电压URM URM是指二极管工作时所能承受的反向电压峰值, 也就是通常所说的耐压值。通常标定的最高反向工作电压要比反向击穿电压低一些。 （3）反向电流IR 未击穿时的反向电流值。受温度影响较大。 ★★★二极管的温度特性★★★ 二极管的应用举例：限幅电路  又称削波器，主要限制输出电压的幅度。 8 特 殊 二 极 管 一、稳压二极管 用特殊工艺制造的面接触型半导体二极管，击穿电压低，反向击穿特性很陡峭。击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子