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22 助 能 材 料 2009年增刊(40)卷 Ag—Al共掺ZnO的第一性原理计算。 方来鹏，谭红琳 (昆明理工大学材料与冶金学院，云南昆明650093) 摘 要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原Ag—Al共掺杂ZnO晶体的理论计算和分析少有报 理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO，Ag掺杂和道‘引。本文利用第一性原理赝势方法，计算了Ag掺 Ag_Al共掺杂ZnO晶体的电子结构，分析了Ag掺杂 和A驴Al共掺杂ZnO晶体的能带结构、电子态密度。掺杂ZnO的影响，并对其进行了细致的分析，理论预 计算结果表明，Ag掺杂ZnO在能隙中引入了深受主测了实验上Ag的掺入有助于实现ZnO的P型掺杂。 能级，载流子(空穴)局域于价带顶附近。而加入激活 2模型构建与计算方法 施主Al的Ag_Al共掺杂ZnO，受主能级向低能方向 移动，形成了浅受主能级。同时，受主能级带变宽，非 2．1模型构建 局域化特征明显、提高了掺杂浓度和系统的稳定性。 理想ZnO是六方纤锌矿结构，属于P63／mc空间 关键词：密度泛函理论(DFT)；第一性原理；Ag掺杂 ZnO；Ag-Al共掺杂ZnO 中图分类号： TN304．21 文献标识码：A 较理想的六角密堆积结构的1．633稍小，f轴方向的 文章编号：1001—973’1(2009)增刊一0022—04 晶胞由氧的六角密堆积和锌的六角密堆积反向套构而 1 引 言 成。笔者计算所用的超晶胞结构如图1所示。从图中 ZnO是一种新型的Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽禁带氧化 可以看出，ZnO中的配位体是一个三角锥，它的棱长小 物半导体材料，室温下禁带宽度(E=3．2ev￡13)，与于底面边长，中心原子与锥顶原子的键长稍大于与锥 GaN等其它光电子材料相比，具有低介电常量、大光 面3个原子的键长。因此晶体中仔一配位多面体为 电耦合率、高的化学稳定性以及优良的压电、光电特 Zn-O．四面体。Zn2+配位情况与O的相似。 性，并且ZnO的激子结合能高达60meV，是一种在紫2．2计算方法 外[23和蓝光[3]发射方面很有发展前景的新型光电子材 文中所有的计算工作，都是由MS软件中的 料。在太阳能电池C43、液晶显示器【5]、气体传感器、紫 外半导体激光器以及透明导电薄膜等方面具有广泛的 泛函方法的从头算量子力学程序：利用平面波赝势方 应用前景。此外，ZnO薄膜的外延生长温度很低，有利 法，将离子势用赝势替代，电子波函数用平面波基矢组 于降低设备成本，提高成膜质量和易于掺杂。ZnO薄 展开，电子一电子相互作用的交换和相关势由局域密度 膜的性能随着掺杂组分和制备条件的不同雨表现出很 大的差异。通常在ZnO薄膜的形成过程中，会产生0前较为准确的电子结构计算的理论方法[7,83。计算中 空位和Zn间隙原子，这些本征缺陷使得ZnO天然呈电子与电子间相互作用中的交换相关效应通过广义梯 现n型导电性，所以n型掺杂较容易实现。也由于以 度近似(GGA)的PBE计算方案来处理，电子波函数通 上原因使得P型ZnO材料生长困难，得到的P型Zn0过一平面波基矢组扩展，为尽量减少平面波基矢个数， 稳定性不理想，这制约了该材料的光电应用。由于Ag 与Zn的离子半径接近，使碍Ag容易替代Zn的位置， Usp)n]来描述离子势与价电子之间的相互作用势，并 但由于Ag的离子半径较大，导致无法实现较高浓度 选取O，N，Zn，Ag各原子的价电子组态分别为 的掺杂。理论计算预测，通过与Ⅲ族元素共掺杂可以 进一步提高Ag的固溶度，因此Ag掺杂和I-Ⅲ族元素为Helmhohz自由能(F)如(1)式所示； 共掺杂已成为目前获得P型掺杂的一种途径。共掺杂 F=E一丁s (1) 理论首先是由Yamamoto等人在研究宽禁带“