BCN薄膜的制备及光电性能的研究.pdfVIP

第8琶学型 金属功能材料 V01．8Supp 2001年3月№山川删M“幽 ㈣∞m BCN薄膜的制备及光电性能研究” 陈光华‘，2蔡让歧1 李英兰1 岳垒顺1 贺德衍2 (1兰州大学物理系兰州730()00；2北京工业大学材料学院北京100022) 摘要本文采用射频溅射技术，在硅和石墨衬底上制备出六方BCN薄膜，并应用IR、XRD、XPS 手段系统地研究了沉积参数对BcN膜生长及结构的影响。也研究了BCN膜的光学、电学、场电子 发射及内应力等性能。本文着重报道BCN薄膜的制备及其光、电性能。 关键词B堂避堕枣赙—囊；!萌亭巨一 中田分类号 文献标识码 一A 一@ 弼I赢～登 ● 1前言 10c口n，靶材是烧结h—BN(纯度为99．9％)。 硼碳氨薄膜(BCN)是一种新型人工合成反应气体是cH4和Ar，反应室预真空4× 的超硬宽带隙材料，它具有许多优异的物理 10。3Pa，沉积气压为4Pa。 化学特性，有着极广泛的应用前景。立方相 衬底为单晶硅片和石英片，衬底与靶子 BCN的性质类似于金刚石和立方氮化硼，具 间距离为5cm，衬底用碘钨灯加热，衬底温度 有金刚石的硬度和c-BN的热稳定性。六方用热偶温度计测定。沉积过程中，通过改变 加在碘钨灯上的电压可以在100—600℃之间 相BcN(h-BCN)的性质介于石墨和六方氮化 硼之间，可掺成n．型和p_型，通过控制不同 控制衬底温度。Ar和cm的流量通过质量 BN和c的比例，可以制备出不同带隙的半导 流量计控制，总气体流量为208cl*n。沉积的 体薄膜。这种材料的高硬度，可能来源于B、 薄膜质量用红外谱(IR)，X射线衍射谱 C、N三原子本身的原子半径小，使键长变短， (XRD)，X射线光电子谱(xPs)等方法进行检 成键能量高。 测。膜厚用轮廓仪测量，沉积时问为2h，沉 我们采用射频溅射技术，在硅和石英衬 积速率通过膜厚和生长时间算得。 2．2射频电压对薄膜生长速率的影响 底上制备出六方BCN薄膜，并应用IB．、XRD、 XPS等手段系统地研究了沉积参数对BCN 在制备过程中，改变射频功率可以控制 膜生长及结构的影响。也研究了BCN膜的 薄膜的生长速率。功率的变化是通过改变射 频电压来实现的，结果如图1所示。从图中 光学、电学、场电子发射及内应力等性能。本 可以看出，在射频电压低于2400V时，随溅射 文着重报道六方相BCN薄膜的制备及其光、 电压的提高薄膜的生长速率加大。在24f)0V 电性能。 时达到最大为1．5ttm／h。随着射频电压的进 2薄膜制备 一步提高，生长速率呈现减小的趋势，可从等 2．1实验沉积参数 离子体形成和膜的生长过程给出定性解释。 h—BCN薄膜是在射频溅射系统中沉积 2．3射频电压对薄膜组分的影响 的。工作频率为13．56MHz，溅射靶直径为 ·奉丈得弼瞢象和北京市自然科学基金的资助(哪《7∞口320啦013)。 增刊 陈光华等：BCN薄膜的制备及光电性能研究