电子束蒸发二氧化硅薄膜的制备及其驻极体特性的研究.pdfVIP

郝天亮等：电子束蒸发二氧化硅薄膜的制备及其驻极体特性研究 电子束蒸发二氧化硅薄膜的制备及其驻极体特性研究。 郝天亮1，陈钢进2，肖慧明2 (1．浙江大学分析测试中心，浙江杭州310028I 2．杭州电子科技大学材料物理研究所，浙江杭州310018) 摘 要： SiO。薄膜驻极体元器件由于制作工艺可与 表面沉积一层疏水的Si。N。薄膜，以屏蔽水分子对电 集成电路平面工艺及微机械加工技术兼容，实现器件 荷存储层的侵蚀[6]。但上述两种方法都不能直接改变 的微型化、集成化、机敏化和全自动化生产，而备受人 SiO：薄膜本身的电荷储存性能，而且涂层会降低SiOz 们关注。采用电子束蒸发技术在ITo玻璃片上制备 薄膜驻极体可达到的最高表面电位，同时附加涂层也 得到了SiO。薄膜，研究了生长速率、衬底温度、退火等 给器件组装增加了技术难度。因此，为了充分利用 工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明，合理控制工 SiO。薄膜驻极体的优势。实现其在微型集成传感器中 艺条件可获得表面光滑、致密的SiO：薄膜。对所获薄 的应用，探索新的制备方法已成为当务之急。 膜的驻极体性能研究显示，等离子体作用下的退火处 本文报道采用高真空电子束蒸发技术制备SiOz 理可提高初始驻极体电位值，但不能提高其稳定性。 薄膜，研究了衬底材料、衬底温度、退火条件对薄膜质 与PECVD方法获得的Sio：薄膜扫描探针显微镜观量的影响，获得了表面光滑、致密、膜中无裂纹、与衬底 察结果对比发现，其原因可能与材料的表面粗糙度有 结合牢固的SiO：薄膜。考察了等离子体表面处理和 关。 退火对薄膜驻极体性能的影响。 关键词： 电子束蒸发；SiO：薄膜；制备工艺；驻极体 2 实 验 性能 中图分类号：0484 文献标识码：A 采用北京北仪创新真空科技有限公司生产的 1 引 言 衬底材料为IT()玻璃片。靶材料为高纯石英棒(杂质 总含量2．0×10．5)，电子束蒸发工艺条件为：高能电 自从1983年德国科学家Hohm和Sessler率先开 展对sio：薄膜驻极体特性和相应的声传感器研制以 来，Si0：驻极体材料得到了广泛的研究[1]。与聚合物生长过程中衬底被紧固在自制的衬底加热装置上，其 驻极体相比，Si0：驻极体元器件的制作工艺与集成电 温度从室温到800℃连续可调。薄膜生长结束后，利 路平面工艺及微机械加工技术兼容，可利用成熟的硅 用DM450C系统的离子轰击装置，原位对样品进行 基器件加工工艺将驻极体传感器、阻抗变换器及电子 放大系统集成在同一块硅片上，实现器件的微型化、集 成化和机敏化，并实现全自动化生产，因而备受人们的 行，气压保持在9332．4Pa左右，退火温度比生长温度 关注【2’3]。近20多年来科学家们一直在不断研究和探 索提高SiO。驻极体的电荷储存稳定性的机理和方法， 现有的制备方法主要有硅基表面热氧化生长SiO：薄 ScopeIIIa，Digital D／MAX 膜、大气条件和等离子体增强化学气相沉积 衍射(XRD)(RIGAKU2550／PC，理学电机， (PECVD)n]、溶胶一凝胶等口]。然而，采用上述方法制日本)分析表征。 备的硅基氧化物薄膜的驻极体电荷在自然环境下很容 样品的注极采用大气条件下的针对面恒压电晕放 易衰减，制约了硅基氧化物驻极体微型集成传感器的 电方法。注极条件为：针电极与样品表面的距离4cmI 发展。电荷衰减机理主要是由于SiO。薄膜具有较强 的亲水性，使其表面电导随环境湿度的上升而急剧增 件下储存，环境条件为：室温，相对湿度45％。表面电