硅尖上纳米金刚石膜场发射性质地研究.pdfVIP

第22卷 增刊 真 空 科 学 与 技 术 2002年 VACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY(CHINA) 硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究 王蜀霞 王万录 序克俊 朱亚波 方 亮 王必本 (重庆大学数理学院 重庆 400044) FieldEmissionCharacteristicsofNanofilmofDiamondonSiTips WangShuxia,WangWanlu,LiaoKejun,ZhuYabo,FangLiang,WangBiben (DepartmentofAppliedPhysics,ChonggingUnir-ity,Chongging,400044China) AbstractFieldemissioncharacteristicsofnanofilmsofdiamondgrownonsilicontipsurfaceswithhotfilamentchemicalvapor deposition(CVD),werestudied.WefoundthatfieldemissiononsetfieldofthenanofilmsofdiamondonSitipscanbeaslowas2.7 V乍m,whereasthatofthepolycrystallinediamondfilmsgrownonflatSisubstrateis4.5V乍m.Themechanismoftheemission thresholdfieldloweringwastentativelyexplainedwithanelectrontunnelingmodelandourtheoreticalcalculationagreaswellwiththe experimentalresults. KeywordsNano-Diamond,Electronfieldemission,CVD,Sitips 摘 要 本文采用热灯丝CV]〕法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质。实验结 果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平面上生长的多晶金刚石膜比较，有了极大的提高。硅尖上纳米金刚石腆场 发射开启电场最小为2.7V小m，而多晶金刚石膜为4.5V6am。利用电子隧穿棋型对实验结果进行了理论分析，研究表明实 验结果与理论分析相符合。 关扭词 纳米金刚石 电子场发射cv}硅气 中圈分类号 :TB39.04624 文献标识码:A ’ 文.绷号:0253-9748(2002)烟一023一03 由于金刚石具有负电子亲和势，即$=E_- 表面态中的电子发射。Geis等L[U提出了一种基于 EJE_是真空能级，E。是导带能级)0，有利于电 金属一金刚石一真空三结增强电场的表面电子发射 子发射。在低电场下能产生很大的阴极发射电流。 机制。 近年来金刚石膜的场发射研究引起了人们的极大兴 本文研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射，研 趣。研究已发现在施加小于3MV/m时，金刚石膜 究在不同温度下不同金刚石膜结构对场发射性质的 发射电流达到10mA/c时。金刚石膜场发射性能比 影响，并对实验结果进行了理论分析。 Si,Mo,W等发射材料更好，其发射电子开启电场比 一般材料要低1个一3个数量级。另外金刚石膜类 1 实验 似于天然金刚石，具有高硬度，耐磨损、耐高温抗辐 采用热灯丝VC] )法在同一反应室制备硅尖和 射、耐化学腐蚀等优异的物理化学性质，是良好的场 纳米金刚石膜。镜面抛光的硅单晶片作为衬底材 发射材料，可广泛应用于大屏幕平面显示和真空电 料。反应气体是CH4,氏和Nz的混合物。总气压 子学领域1310 为4x10Pa，气体流量为300sccm，灯丝温度为2 人们做了许多实验来研究金刚石的发射机理， 000_r-2400V，衬底温度为7500-900C1。当所 至今尚不清楚。但发现有许多因素可影响金刚石阴 有沉积条件达到预定值后，将相对于灯丝的负偏压 极发射电流，如电击穿、表面突出、缺陷等都会大大 加于衬底上。偏压和发射电流超过某一闭值(负