交替应力下热载流子导致的MOS器件退化特性的研究.pdfVIP

交替应力下热载流子导致的MOS器件 退化特性研究 刘红侠郝跃张1]东 (曲安电子科技大学微电子所西安710071) j‘要：本论文对深贬微米]dOS器件中热载流子效应进行了研究。讨论了交替应力下的热载流子效应 对器件退化性能的影响。本文通过实验指出，动态应力退化特性并不是静态应力特性的简单再现． 而是静态应力研究中发现的各种效应的综合体现。器件的总退化量基本符合以界面态产生为主的退 化规律。 1引言 随着VLSI制造技术向深亚微米方向迅速发展，在器件的沟道长度、结深和栅氧厚度等尺寸等 比缩小和衬底掺j}浓度增加的同时，电源电压并未能随之等比减小，这就导致沟道区的横向和纵向 L乜场显著增加。热载流子在高场下获得高能量并翻越界面势垒，形成氧化层陷井电荷和界面态陷井 的几率会大大增加，使器件特性的退化趋于严重”…。因此热载流子效应已成为限制VLSI电路最大 器件密度的主要冈素之一。 MOS器件在电路中通常】：作在动态麻力条件下，即栅、漏电压波形都是随时间改变的，器件的 热载流子戍力条件在一个周期内也不断变化。冈此预测动态应力条件F热载流子损伤的复杂程度远 远大r静态应力。动态条什r，很多研究小组的实验结果都很不相同．甚至相互矛盾。这些矛盾既 可能是由于不同的|=艺造成的”I，如动态麻力下的器件退化行为受到工艺参数的强烈影响(如是否 采用钝化层)，也可能是由j：不同的实验条件造成的，如有些小组在漏和栅极均加上脉冲应力，而 另一些则采用固定漏压．仅在栅极加脉冲应力，而测试装置的不同设置也会产生不同的实验结果…1， 冈而增加了表征动态退化特性的难度。 实验发现，器件在动态应力条件一F的退化与在相同有效时间和偏置条件下的静态应力_有显著 不同。本文把动态麻力损伤特性同静态退化联系起来。实验指出，动态麻力退化特性并不是静态戍 ．545- =f丁特性的简单再现，向是静态应力研究中发现的各种效应，如热电子、热空穴的注入和陷落，界面 态的产生．退陷阱效应年¨后席力延续等效应的综合体现。器件的总退化量基本符合以界面态产生为 主的退化规律。 2交簪应力下的器件退化机制 um 对nMOS器什施加变替静态麻力，以模拟交流状态下器纠的退化情况。器件的淘道长度为o．7 um，涨漏绡深0．2um，氧化层厚度为Lonm，器件的闽值电压为0．35V。 宽度为iO．5 3、4、I．3、04、l3、4、I．3V，源漏电压为4V。器件在备应力条件 令栅电压分别为0．4、L r均维持一定时间。器什|午匀线性电流和闽值电压的退化。情况如图I和图2所示。 nMOSl05∞7Ws目v Stress130ndlIbn O 左 丁 8 ∞ 哥 6 ∞ 3 4 摹 2 O time(s) 图1变替应力下器件线性电流的退化 7 Vd=--4V nMOSl0。5，0 E№I‘Condl№n ：。。。。0-1500。00。1 VⅦsJ3#。=O．4V：器。-20。000。s馏蓦器 ㈨O 五 粤 m5 导 § ㈣0 ’L一 3 黜-一一 l詈5 粼己一 ㈣日