射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应消除.pdfVIP

射频磁控反应溅射制备Al O 薄膜过程中 2 3 迟滞效应的消除 赵以德 北京科技大学应用科学学院物理系,北京（100083） E-mail ：zhaoyide9886@ 摘 要：反应磁控溅射过程中的迟滞效应是限制它的应用发展的主要问题之一。本文在分析 Berg模型的基础上，仿真模拟了Al O 薄膜反应溅射过程。结果显示：增大泵抽速、减小靶基 2 3 距均可减小或消除反应溅射中常见的迟滞效应。我们以此为理论指导，调整了原有工艺条件， 高速反应沉积了Al O 薄膜。沉积过程中没有观察到迟滞效应。在金属态和化合态之间的过渡 2 3 态下，90W射频功率下薄膜沉积速率为136.1nm/h，钢基体上制备的薄膜电阻率为2.89×1014 Ω·cm（电压为5V）。 关键词：Al O 薄膜；射频磁控溅射；Berg模型；迟滞回线 2 3 中图分类号：O484.4 1. 引 言 Al O 薄膜具有很多优异的物理、化学、力学性能，如：高透射率、高绝缘，耐高温、 2 3 耐腐蚀，高硬度、高耐磨、低氢同位素渗透率等，是一种常用的功能薄膜材料。它所具有的 这些优良特性引起人们的极大兴趣, 已经广泛地应用于光学、机械、微电子和受控热核聚变 反应堆等领域[1-5] 。 制备Al O 薄膜可以用各种化学气相沉积或物理气相沉积方法。根据不同应用环境对其性 2 3 能的不同要求, 采用不同的制备方法。在磁控溅射沉积技术中，反应溅射比化合物溅射具有 明显的优势，因而被广泛应用。这是因为：反应磁控溅射所用的铝靶和氧气容易获得，有利 于制备高纯度的Al O 薄膜。如果靶材直接选用Al O 靶进行溅射，那么不仅很难得到高纯度 2 3 2 3 的Al O 薄膜，而且由于陶瓷导热性能差，高能离子束轰击靶面时，靶面的温度升高而且不 2 3 均匀，出现靶材破裂问题[6] [7] 。另外，金属靶的溅射产额远高于化合物靶材的溅射产额 ，使 反应溅射具有较高的沉积速率。但反应溅射过程中存在迟滞效应，不易控制靶面处于接近金 属模式的溅射状态从而保持高的溅射率，而在基板上获得化学配比的Al O 薄膜。迟滞效应 2 3 在实验上反映在沉积速率与氧流量间的迟滞回线上，如图1所示。反应溅射过程存在两种溅 射模式，即溅射速率相对较高的金属模式和溅射速率很低的化合物(靶中毒)模式。在迟滞回 线对应的过渡区内，对于某一个流量Q，可以有两种不同的溅射模式，究竟处于哪一种溅射 模式，取决于靶面经历的溅射历史。为了保证Al O 薄膜成分的同时提高溅射速率，需要让 2 3 溅射状态设定在迟滞回线的拐弯点处(对应于图1中B点) 。但是溅射室反应气体分压强的任何 一点波动，都会导致溅射状态变为靶中毒模式。由于迟滞效应，这种转变是不可逆转的，只 有氧流量降低到更低的水平(小于Qc) 时，沉积速率才会提高到原来的水平。所以反应溅射中 迟滞效应的消除是反应磁控溅射中需要解决的一个关键问题。 本文将对Al O 反应溅射过程用Berg模型进行仿真模拟，在此基础上，改善原有的实验条 2 3 件，获得了无迟滞效应的反应溅射沉积工艺。并在中国低活化马氏体钢上射频反