单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟.pdfVIP

红外与激光工程：光电子器件技术 第35卷 1理论模型 因为碲镉汞是一种性质比较特殊的II一Ⅵ族化合物半导体，所做的器件为光电pn结，所以首先在软件材 料库文件‘11中定义碲镉汞材料禁带宽度： 介电常数； ￡。=20．5—15．5x+5．7X2 电子有效质量： E 虫mo№6瓶333c毒+南汀1g 乞g+l 空穴有效质量： 生：0．55 ‰ 电子亲和能(eV)- F=4．23—0．813(Eg—o．083) 电子迁移翠： n， 玩=9×104(!丝)7·5丁‘2(o创J)06 空穴迁移率(m2Ns)： 地=0．01心 俄歇电子复合系数(m6／S)： 1+21me 3．8x10枷E。(1+冬)们(1+2冬) m．(U．ZI。l——}… 1+二．工 耻【2碍—素扩卿嗜 Dg，‰ 俄歇空穴复合系数(m6／s)： 6(1-45KEl8．) 氏=氏[1一里】一1 2K丁 对于九氕，吸收系数A(1／m)： A：100aoexp[J。(尝)】 ／L一％ 对于允≤丸 2 a02、。)i 。(巳一％)】(下一气)172 exp[s以吲】(半1．2zl。叫抛 增刊 孙浩等：单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟 45 另外，在软件模拟时会自动调用连续性方程，电流输运方程以及泊松方程进行计算，需要根据计算结果 与实际结果的比对适当的在软件材料库文件中加入例如俄歇电子复合系数‘21等公式，对模拟结果进行修正。 2单色碲镉汞器件模拟 由于单色碲镉汞器件相对来说结构比较简单，工艺比较成熟，从单色碲镉汞器件入手一方面很容易和现 有的工艺和理论相对应，另一方面相当于对双色叠层结构的一部分进行研究。 然后利用器件建模软件画出单色器件结构，定义好各层的组分以及浓度，定义好计算的网格，在结区附 近网格定义得较为稠密，接着用软件调用画好的结构，加上电压和光辐射语句，经过仿真计算得出一些结果 如图1、图2、图3、图4所示。图1是单色器件结构图；图2是对器件结构进行网格优化，获得的网格以及 杂质浓度分布图；图3为器件经过仿真后复合速率和总电流密度分布图。图中复合速率大的区域不是在器件 表面，而是在侧面，与实际的有较大差异；图4为器件仿真后的厶y曲线特性，绿色曲线为不加光照时的二 极管暗电流曲线，反向电流在E-13A量级，跟光电二极管实际的暗电流有较大差异，原因可能是与复合有关 的物理模型不适用。红色曲线为光照后的■y曲线，反向电流在E-6A量级，与实际的光电流出入很大，通过 调整合适的物理模型，得到与实际相符的光电流。 图1HgCdTe单色光电二极管结构图 图2网格优化及杂