HIC导逞缺陷的电学检测和评估.pdfVIP

第lo卷第2、3期 混合微电子技术 HIC导带缺陷的电学检测与评估 西安电子科技大学韩孝勇张德胜顾瑛 摘要率文介绍r通过测试混合集成电路导带的方块电阻、温度系数等电学特性．再经过高 温存贮试验考核其质量的稳定性．对其质量和缺陷进行了评估分析，探索导带质量缺陷与电学特 性的关系．并与微分析结果比较验证．为宏观上评价导带质量缺陷提供个快捷的途径。 关键词混合集成电路导带缺陷测试评估 厚膜不同于薄膜，是以分子、原子状态堆 1引言 积起来的，它是以金属、玻璃、有机物混合成 混合集成电路(HIc)以其灵活的封装技 的浆料以丝网印刷及烧结工艺制作而成的。 术广泛应用在电子工业中的各个方面，许多 金属粉料的颗粒度、颗粒形状、大小分布、热 光靠半导体技术很难解决的问题在混合集成 膨胀系数的不同及与有机溶剂的烧结程度的 电路内就比较容易解决。如果把一个半导体 不同，都会影响厚膜导带的导电特性。面厚膜 芯片比作一座城市，而将分立器件比作小城 导体的导电特性也严重依赖于烧结条件．如 镇或者农村，那么混合集成电路就是兼顾了 果浆料在烧结过程有机材料没有完全烧光或 农村和城市的优势。而混合集成电路的导带 者金属成分没有被完全还原出来，则厚膜导 就是连接城乡之间的道路。正如道路的通畅 带的导电机理将比较复杂，其等效网络以电 与否直接影响着经济的发展一样，混合集成 阻、电容串联或并联的形式形成不规则的?昆 电路的导带对整个电路的性能影响很大。 联。由于厚膜导体的特殊结构，在导电浓度比 混合集成电路的导带分为厚膜导带和薄 较低时与导电浓度比较高时，方块电阻的变 膜导带两种。导带金属薄膜一般是多晶的。对 化比较大。如能将厚膜导体的电特性与材料 于连续的金属薄膜，由于薄膜中具有和块状 特性及工艺条件有机地联系起来，再通过微 金属性质相同的自由电子，所以影响理想薄 观结构的分析，进一步探讨厚膜导带质量缺 膜电子的平均自由程的只有薄膜的厚度，这 陷与电特性的关系，将有助于我们进一步地 一影响称为薄膜的尺寸效应【1]。由于尺寸效 了解其导电机理，对设计、生产和使用都将有 应的影响，使得膜厚小于一定厚度时，其电阻 所帮助。 率变化很大。不连续的薄膜的电阻与温度关 本文应用的混合集成电路导带电学质量 系具有半导体温度特性，它的电导率与外加 和缺陷的检测评估系统主要有以下的功能： 电场关系不具有欧姆定律性质，而是与激活 测试混合集成电路导带的方块电阻，一55～ 能有关。无论那种薄膜，制作时总要将它们附 125℃的温度系数。并且应用了国军标的试验 着在一定的基片上，薄膜的基片与薄膜的附 和检验条件”】，经过高温存贮试验考核其质 着性也直接影响薄膜的各种性能。 量的稳定性。从而对其质量和缺陷进行评估。 ·】25· 根据不同的导带图给出修正系数B0，由公式 2方块电阻测试 可得导带的方块电阻。试验所测得的方块电 通过四探针l、4两针给厚膜导体加上 阻最小可以达到o．oln，Q／口．精度o．1％。 lomA电流，由测量2、3两针之间的电势差，表l是几种不同导带的方块电阻测试数据。 表1不同基片和导带的方块电阻测试结果(单位：mn／口) ＼＼基片导带 A1203 Beo A1201 Beo Beo A1：O， ＼ 4119 4119 S7l5 5715 9910 6120 项目＼ 方阻平均值 4．53 4．74 4．04