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x波段三级GaAs功率单后
张玉清 。谣慕义
信息产业部电子第十：i研究所 石家庄05005￡
摘要：本文简叙r一个x波段三级GaAs功牢薄片以设计．制作及其性能测试，该单片
在9．2～103GHZ频率范围内输出功率500nfw，增益18dB，增益平坦度：ldB。
l引吉
由于现代化战争刘雷达的要求愈柬越高，固态有源相控阵雷达已成为主要军事大国竞
相发展和装备的主流技术，这种雷达的关键部件就是T／R组件。T瓜组件的发展与单片微
波集成电路(MMIC)技术的发展和成熟密切相关，采用MMIC芯片制作的T／R组件就成为最
佳途径。八t年代中期采用多个MMIC芯片的T／R组件在国外开始出现．至九十年代，高
集成度多功能的MMIC芯片的研制成功使得有源q／R组件采用的芯片数量大大减少、组装
更加方便，体积重量明显减少。
随着我国国防建设的需要研制开发生产T／R组件用的MMIC对国防现代的建设，将产
生重要的意义。 ，
根据我国x波段T爪组件的需要我们研制出了一个x波段三级GaAs功率单片。本文
介绍丁该电路的设计．制作及其性能测试，该单片在92～10．3GHz频率范围内、输出功率
500mw．增益l8dB。
2方案没计
bET
单片电路设计的中心的频率10GHz，电路结构采用三级单片级联形式，根据GaAs
第三级以两路功率合成形式来实现．匹配电路元件采用MIM微带薄膜、电容、微带传输线
和微帮短路线实现。
单片中有源器件结构为源跨接通孔接地结构．器件的单指栅宽为75¨nl、栅长为0．5
uIII．栅一栅问距为14um，源漏间距4uln。材料选用MBE生长的GaAs外延材料，有源
屡浓度为2×10”／cm3。
3单Jl电路设训
3 九信I；摸’弘参数旧连t
聚川HP9510Ⅲ绵分析仪洲}{1栅宽6(10IlIII硬1200¨111器什的小信号S参数(表l、
S参数(袭3)。
表21．刚}j人晡弓模，mK什t．依栅；器仆髓功率变化规律将其转化为大信q
--246-一
f(GHz) S11 S2l S12 S12
9 080么．15302 l 5325803 O05257．80063／．69．69
9．5 080Z．L54991．45么5494 o0526009 063』一72．39
10 080Z—156．8l 1．38么5196 O05262．38 064Z．7504
l()5 080Z．158491．3lZ4609 o06／6464 o64』．77．64
ll 080Z．16006 1．24／4632 065Z．8019
表2 栅宽1200um器件的小信号S参数
f【GHz) Sll S2l Sn S：2
9 0．971Z—174．2 1．214235．O 0．050251．00576Z．116．0
9．5 0．873Z—1769 l 1452308 0052254．70．598Z，1196
10 0876』，l79．5 1．076227．O 0055258．30617么．J232
105 1 1．008么23．3 0．058261．30．63lZ．1268
Il 0．8782175．8O．946219．8 0061么63．9 0644Z—130l
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