X射线总剂量效应的初探.pdfVIP

X射线总剂量效应初探 张力 (航天总公司一院十四所北京9200信箱76分箱3号100076) 摘要X射线与v同属电离辐射，其对半导体器件的辐照效应从损伤机理上看有一定 的等同性，但由于x射线能量较Y射线低．与半导体器件封装材料的反应截面大，困 此产生辐照效应与Y射线有一定的差异，本文简要介绍了x射线辐照半导体器件的总剂 量效应初步研究的结果． 关键词x射线、总剂量、效应 I概述 x射线对半导体器件产生的辐照效应是十分严重的，虽然x射线与Y射线同 属电离辐射，其对半导体器件的辐照效应从损伤机理上看有一定的等同性．但由于 两者的能量不同．对半导体器件的辐照效应有一定的差异。近几年来，初步研究了 有关x射线在不同材料界面产生的剂量分布特性，通过试验，初步研究了部分典 型半导体器件(CMOS集成电路)在x射线辐照下产生的总剂量效应及其在Y射 线辐照下产生的总剂量效应，力求通过试验。研究CMOS集成电路在X射线、Y 射线辐照下产生的总剂量效应的异同性。 2基本原理 由于电离辐射(X射线、y射线)照射半导体器件产生的总剂量效应主要来源 于两个方面，其一是x射线、y射线直接作用于半导体器件的硅材料中，与硅材 料相互作用(compton效应、光电效应等)．直接将部分能量移交给硅材料，在硅 材料中产生电离电荷，随着辐照总剂量的增加，半导体器件内不同部位硅材料中电 离电荷积累，从而影响器件的正常工作，造成辐照效应．其二，X射线、Y射线作 用于半导体器件的封装材料、基底材料、金属引线等部位，从这些材料原子中打出 次级电子，在局部产生电子与正电荷，由于电子、电荷在材料中射程较短，均沉积 张力：x射线总剂量效应初探 在材料中。进而影响器件的正常工作。 根据光子与物质相互作用的原理，光子与物质材料相互作用反应截面随物质材 料原子序数上升丽增加。当光子能量高于百key量级时(X、Y射线)，相互作用 过程以compton效应为主。光子将部分能量移交给物质原子的核外电子，产生电离。 由于光子能量高，与物质原子相互作用反应截面低，对材料的穿透能力强，因此对 半导体器件造成的总剂量效应主要由光子直接与器件硅材料相互作用造成的． 对于x射线，由于其能量较y射线低(一般不高于100key)，与物质材料相互 作用时，以光电效应为主，将能量移交给物质原子的核外电子，产生电离。由于光 子能量低．与物质原子相互作用反应截面高，对材料的穿透能力差。因此对半导体 器件造成的总剂量效应主要由前述两个方面产生． 当光子照射由两种不同原子序数物质组成的异质材料时。高原子序数材料一侧 产生的次级电子发射密度高于低原子序数材料。在界蕊低原子序数材料一侧。来自 高原子序数材料的次级电子较自身发射出的次级电子多，因此在界面附近很小的区 域内形成电子非平衡区。由于电子在材料中射程短，电子绝大多数沉积在界面附近。 导致界面处剂量增强。 当x射线照射半导体器件时，半导体器件封装材料、基底材料、金属引线及 硅材料等均构成异质界面，由此在半导体器件中产生剂量增强效应． 发射电子 低原子序数材料 高 界面 圉1异质材料界面次级电子分布示意图 3初步研究结果 3．1异质材料界面剂量分布试验研究 试验采用多层AI空腔电离室测量，在科学院高能所正负电子对撞机同步辐射 装置上进行X射线辐照试验，由于该装置上直接引出的x射线能谱较宽，试验时 利用200uITI厚的金材料滤光，产生如图2所示能谱的x射线，进行照射． 张力：x射线总剂量效应初探 善 1。“”5 2一”售器y8‘．．oxvl0)．,i。“”4