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半导体激光器边模注入锁定的阈值条件 的理论模型及实验结果 王晓辉，陈徐宗，侯继东，杨东海，王义道 北京大学电子学系， 100871 摘要：本文详细计算了实现边模注入锁定的阂值条件，分析了边模注入锁定的实现 机制，指出在满足一定注入光功率及合适的增益条件下，可以实现这种大频差范围 的注入锁定。通过实验研究了注入光功率与注入锁定建立过程的关系，得到了实现边 模注入锁定的注入光的阈值功率为被注入锁定的激光器的输出功率的O．8％。 关键词： 注入锁定，模式竞争，阂值功率 1引言 注入锁定技术在电子学，超精密光谱和光通讯等领域有着广泛的应用[】】。随着半导 体激光器的应用日趋广泛，半导体激光器注入锁定技术近几年来有了很大发展。常 见的是利用一小功率注入光锁定一大功率激光器，但其频率锁定范围一般都是在单 纵模的锁定范围几GHz以内【2”。在这种情况下对从激光器的调节很严格，要求从 激光器的波长必须仔细调整到注入光波长附近才能实现注入锁定。后来研究发现， 如果注入光频率对应于从激光器某一边模附近时，在满足一定条件下也可以实现注 入锁定M,s】。我们在实验中实现了频差约1300GHz的边模注入锁定。本文计算了实现 边模注入锁定的阈值功率，指出在满足一定注入光功率和增益条件下，可以实现这 种大频差注入锁定，与实验结果相吻合。 2理论模型 我们采用半导体激光器速率方程的两模式场模型描述从激光器边模注入锁定过程 f 61。考虑有注入光作用时从激光器腔内两个频率处的模式方程；从激光器自由运转 频率‰和注入光对应的边模频率0)。，(I)，与从激光器内的边模频率相接近∞。， f_．．OR-Oo=KA∞。，△∞。·腔模间距，K-正整数 从激光器自由运转时模式：E0=√了丽疏慨“丸‘ 7f州+h‘‘” (2) 从激光器内边模∞R处的模式：E。=ff-P。(t)e 注入光模式： E，=√只e“”“” (3) ‰，巾。一从激光器自由运转时的频率和相位， P。一自由运转的光功率， ‰，串订一从激光器内边模场的频率和相位， P。一边模运转的光功率 咄，十，注入光场的频率和相位， P-注入光功率 它们满足以下方程： 1aEo_(t)=三(H州Gn哨)引，) (4) 警2=扣㈣阶y1)岛饥郫) (5) 棚…配n吨一一舭一删一眠…。雁 可见锁频范围与注入光功率成正比，注入光功率越高，锁频范围越大。 2．1注入光频率远离锓频范围【71． 一一一枷…犏即ICO--COoIM悟吨 由望o!≥』堕=～(m，一m。)一m，sin【≯。(r)一≯，(，)】 (6) 可得∞一=国·一国一≈国。+—2(—co竺,曼-一coo) 这时激光器自由运转的频率被牵引了=兰生_。从以上分析可以看出，若注入光频 、 z(棚。一tOnJ 率远离锁频中心，自由运行时频率成分将会受到频率牵引而离开‰，牵引量为 互i：；≥丽，这时注入光将起到牵引自由运转频率‰向注入信号频率处转移。在我 们实验中，观察到了1300GHz大频差范围的注入锁定，已远远超过上述锁定范围。 下面我们计算一下实现边模注入锁定的阈值条件。 2．2边模注入锁定实现的条件 在大频差边模注入锁定情况下，注入光首先锁定所对应频率附近的边模，此访槿 212 与自由振荡模式的光子通过消耗载流子数目使增益因子饱和，从而发生相互竞争 把Eo(t)，ER(t)的表达式代入到(4)，(5)中，得到： 1dPR(一t)=(Q-7，)删+2y。嘶c。s磊 (6) 没有注入光作用时，Pi=o，PRo，即：盟：(G。