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半导体纳米管的外延制备 刘兴权， 陆卫，陈益栋，李宁，李志锋，窦红飞，沈学础 (中科院上海技术物理研究所，红外物理国家实验室，玉田路500号，上海，200083) f大鹏 (北京大学物理系电镜实验室，北京100871) H．H．7Fan．C．Jagadish (澳大利证国立大学栩料工程系，Canberra，0200) M．Johnston，M．Gal f新南威尔士大学，悉尼，澳大利亚) 摘要 本文采用了低压MOCVD原位自组织生长的方法在有V形槽的衬底上外延生长获 楚显示了无位错的半导体纳米管结构，此荧光光谱显示了这种准一维的幼米管结构光荧光 信号， 表明该结构的晶体质量的：完整性。 PACC： 1． 引言 随着半导体外延技术的发展， 半导体的准一维结构已经可以用外延的手 段，通过自组织生长模式原位外延获得II．4I，这种原位外延的方法获得的准一 维结构，避免了用刻蚀等方法制备一维结构所带来的损伤、缺陷、表面态等，对 这种量子一维结构在光电技术领域应用中的性能有着质的提高。 准一维结构因 为其在两维方向的量子限制效应， 使电子在一维方向传输中将有许多优越性， 如理想情况下电子在一维方向可以不受散射地传输， 使能量在传输中不因散射 而损失， 即“弹道输运”， 同时在维方向上传输速度更快，而且由于其在光 吸收、光学非线性等方面的优越特性，使得其在半导体的光电应用领域有着广 阔的前景。而与通常的量子线结构相比，在电_了传输特性中， 一维的纳米管结 构有更优越的特性，然Fd，这种理想的半导体纳米管结构很难制备，本文介绍 了一种采用在v形槽衬底卜外延生长的弯月形纳米管结构，获得了一种无缺陷 的纳米管结构。 2．实验与结果 光刻版为2¨m宽，周期为2pm的线条，曝光12秒后显影，后烘2分钟。在0 1 格控制腐蚀的速度和深度的条件下，衬底经过选择性腐蚀后，两个(11)面被腐 蚀出来。对本实验所用的掩膜图案，V形槽的深度为2．5pro，在高倍光学显微 镜下显示，选择性腐蚀后，(111)面形成了很尖锐的的V形槽。然后将样品用丙 105Ga05As结构，在平面衬底上外延的 长耦台的rn02Ga㈣As／GaAs／／no2Ga㈣As／A 样品结构详见图1a．所示。最后生长0．29ra的GaAs覆盖层。在生长耦合结构时， 精确调整生长速度，使得In，Ga原子有足够的大的自由程和扩散时间，在V形 槽横截面的透射电镜(TEM)圈，TEM图给出了在槽底附近各结构的精确尺寸，由 TEkl图的结构给出了槽底附近各个结构的精确尺寸，由TEM图可以清楚地看到 纳米管的形成，其中，槽底部上层InGahs厚度为3纳米，GaAs层厚度为4．5 纳米，下层InGaAs厚度为6纳米。从TEM图可以看到在V形槽的底部形成了弯 月形纳米管。 GaAs capO．02pro AIo5Ga0sAs0．J}am I”32Gao 2nm 8As G，aAs } 2nm ●卜- 2．5nm Ino2Gao毋s Ab5Ga05AsIgm GaAs0．1u【II ————————』±一