尘埃粒子在直流辉光放电阴极鞘层中的运动及其悬浮.pdfVIP

尘埃粒子在直流辉光放电阴极鞘层中的运动及悬浮 女Ⅱ德泳 王德真 支Ⅱ金远 大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室 摘要：本文研究尘埃髓子在直流辟光放电阴极鞘层中的运动特性及悬浮位置．比较无磋撞鞘层和碰撞鞘屡发现．尘埃粒子在 磋擅鞘层牛的悬浮位置更姗舾极扳：比较下鞘(I!}l极扳鼓在下方时的鞘层)和上鞘(弼极板放在￡方对的转屠)发现，在下 鞘中只有同一半径的尘埃粒子悬浮在鞲层中的同—缸置，面在上鞘中两种不同半径的尘埃粒子可以悬i孚在鞘层中的厨—位置． 悬浮的尘埃粒子满足台力k却及dFJ,“0．但满足雠条件的尘壤粒子能否悬蜉在鞘层中，还取挟于其初始位置和初始速度． 1引言 等离子体技术目前已成为丈规模集成电路生产中的关键工艺．是其它技术难以项替的。近几年来，人 们发现在集成电路的等离子体加工中．存在大量的尘埃粒子，严重影响加工的质量和效率。尘埃等离子体物 理开始倍受关注，目前已成为等离子体物理中的—个重要前沿分支。迄今为止，已有不少关于尘埃等离子体 的文章发表它们的内容涉及尘埃粒子的充电过程、尘埃粒子在鞘层中的运动和悬浮等“吐”。 本文将讨论尘埃粒子在辉光放电四种阴极鞘居无碰撞下鞘、碰撞下鞘、无碰撞上鞘、碰撞上鞫中的悬 浮位置和运动特性等；本文第2部分建立鞘层模型，第3部分讨论尘埃粒子的充电过程，第4部分分析尘埃 粒子的受力靖巧t及悬浮位置。第5部分求解尘壤粒子的运动方程．并给出—些运动轨迹．第6部分是结论。 2鞘层模型 在实验室低温等离子体装置中，当中性气体气压很高时，离子的平均自由程小于鞘层的厚度，此时离 子和中性气体原子的碰撞习i可忽略，鞘层视为碰撞鞘屡。在鞘屡边界K=s处(s为鞘层的厚度)。假设离子 以速度、铲一vdvB为离子声速或玻姆速度)从等离子体区域进入鞘层区域，坐标原点选在极扳处，x方向由电 极指向鞘层。 在鞘层中离子的连续性方}呈和运动方程为 (1) ，V．=”。”o， Ⅲ生：1型+F， (2) 出 出 式中n，x分别为离子密度和离子速度，№是等离子体区域等离子体密度，毗为离子质量，V为鞘层局域势 Fc=rRYh沩弱电离气体流体力学中经常用到的摩擦力，其中丫邗。。h{是离子碰撞频率，nn为中性气体密度， o为离子和中性气体间的碰撞截面。当忽略(2)式中的摩擦力Fc时，碰撞鞘层模型将过渡到无碰撞鞘层模型。 鞘层中的局域势y满足泊松方程 掣；一兰LMl)， (3) ．甜 r。 式中n是电子密度，假设稳态电子遵循玻尔兹曼分布_(r)=门0exp@VIl(T,)。为简化上述方程，引入 O-龋 如篙、汹m…，；去…等等无量纲鸯这里州警1。2舳豫拜媳^』,t 子平均自由程，方程())一(3)可化为 “坐：一唑一目：， (4) 碰 北 掣=c。p(})一1 (5) o‘ “。 考虑到在边界‘=L=∥^。处，局域势v=o．离子受力为霉，离子进度为一v8，则可得出其边界条件Y∽=o、 叫／蚓，：o和u，(∞=一j，强个鞲屠就可以自治求解丁。 本文中所采用实验参数如下：在氧气直流辉光放电装置中％硝Ix10”m 为中性气体的温度)般极E所加负偏压值Vo=一40V．中性气体的密度为“=33×1舻。m’。，鞘层中尘埃粒子的质 量密度为Y,1．=2000k∥m3，对下碰{童鞘层取u=o】3《相应_丁nn=33×1护1m一．p2100mtorr。一