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硅片的背面处理 阔靖邹子越吴晓虹 t P洱市汁量测ue摊术研究院， 上海微电了分析测试重点实验摩、上海．200233) 摘要 抛光硅片的背面处j4l一毽暇除器什区重金属杂质干|i减少晶格缺陷的 作用。本文=用gEM、TEM和光’≯显徽镜研究硅片背面的机械损伤、软撮伤和多 晶硅．分析了这些背面处理的吸杂机理 1引言 集啦电路已经进入皿(J25微米的ULSI阶段。随着集成度的提高，对硅材料 的质量提出J’越来越高的驱求。概括而．q-即为降低硅中金属杂质的含量以及 减小品格缺陷。所以除了改进硅单晶的拉制技术外，对硅片的加工技术提出J’ 更高的要求； ：菌常作~句商品的抛光硅片背面是经过碱腐蚀(或皖腐蚀)后的表 面。但随着集成电路对控{I硅片的氧化层错羊¨s坑缺陷(氧化雾缺陷)密度要求 的提高以技对重金属杂质j古污的控制 于是在硅J』背面进行了特定的处理形 成了外暇除中心．因而使硅片具有剥金属杂质的吸除功能．目前商品硅片除生 产j‘商可根据用户要求提供内吸除硅片外，能提供的硅片的背(面)处理有背面 抛光、背机械损伤、软损伤和多晶硅。奴衙抛光的硅片降低丁硅片加工过程中 金属!杂质的沾jj、但没自吸杂作用，肌Ⅱ玎■类背面处理都有外吸杂作用．本文 用SEM、TEM和光学显微镜研究了背间有机械损伤、软损伤和多晶硅的硅片的 晶格结构．热处理过程中玷构和缺陷的演化，报导J’吸杂的效皋和分析丁吸 杂的机理． 2实验 不1司来源的商品硅片．用择优腐蚀后通过干涉相衬显微镜进行观察．择 对j=tJ11晶向硅片用Sirll脯蚀液，宦温腐蚀1分钟。 未经髓蚀的样品，用PHILIPSEM430透射电镜进行TEM观察，加速电压 为300KV 3结果和讨论 3 1背面机械损伤 背机械损伤是用砂赁打邑硅片或用一定颗粒度的金剐砂对硅片进行疃砂 处粤!在硅片表层形成的、这些机械损伤能起吸朵作用． 圈1是硅片背商Hj砂纸打毛的SEM形貌照片。由照片可知打琶的擦痕很深 的。幽2是硅片背损伤的TEM形貌照片．通过透射电镜的观察，硅片表层机械 114 加工的作用，形成两层：外表层是碎裂层．碎裂层p面是应变层．若加丁硅片 的机械作用力较大的话．瞄部还能观察到位错 机械损伤吸杂机理是利用机械损伤造成的局部范围的晶格小完整(包括位 错)、应力场与应力集中点和硅片在器件热加工T艺中由机械应力诱q二的位错 及位错网络来吸除硅中重金属杂质。由于机械损伤在器件工艺中会在硅片中诱 生出穿透性位错和微裂纹，对器件会产生不良副作用，现在已基水上不人使用 这种背处理技术。 3．2软损伤 为了提高有效吸杂能力，降低机械损伤产生的不良副作用，在原有的机 械损伤技术的基础卜’、发展成-种新颖的机械损伤一软损伤吸杂技术。软损伤 吸杂顾名思义就是一种利用作常轻微的背面机械损伤作为外吸除中心的吸杂 技术。 围3是‘种软损伤硅片背面Jg貌照比由SEM观察_f知它是肘一定颗粒度 砂纸千一个力面轻擦打毛硅片而形成的。罔2足这种硅片剖面TEM形貌像，照 片巾看到因砂纸打琶，外表面是碎裂展，此层的层厚100nm，下面紧邻的是 还观察到位错。 用这种方式加工的硅片经热氧化，择优腐他后在软损伤表向能看到高密 度的氧化层错，其形貌示于图4。这些高密度的氧化层错是由硅片上的机械损 伤经热氧化而诱生形成的。正是这些氧化层错起吸杂作用．网5是用另一种方 式加上的软损伤硅片经热氧化择优腐蚀后形貌照片 此硅片上氧化层错的密 度高于图3中硅片．软损伤基本上是通过热氧化诱生出氧化层错进行吸杂。 大 致机理为：硅片在热氧化形成氧化硅时产q：大量硅的自问隙原子，硅片表面损 伤造成的不规则原于面台阶为热氧化屡错提供了核化中心，促成丁热氧化层 错的形成。热氧化层错为非本征层错即在硅的品格中插入丁一小片硅原子，层 错的周围为弗兰兜位错，因位错的廊力场、杂质和点缺陷受它的作用．集结茫 位错线上，从而起了吸杂作用．热氧化层错的密度与核化中心的数量有关。软 损伤所诱生的氧化层错密度约在10’一107／cIn2数量级，氧化层错由背面向体内仅 延伸数微米深，是非延伸性缺陷。软损伤加于硅片}的机械应力较小．不会在 器件工岂中诱生出穿透性的位错。有论文报导．软损伤硅片在