基于简单流体动力学模型的pn结模拟和分析.pdfVIP

基于简单流体动力学模型的pn结 模拟与分析 刘其蠹吴金 (东南火学微电子中心，南京210096) 摘要：本文在简单介绍了简学流体动力学模型妁基础上，对零偏、反偏及正偏条件F 的pn结进行了数值模拟，着重对pn结在不同偏置下的温度特性进行了分析。 关键词：、P导体器件模拟、流休动力学模型、pn结、热栽流f效戍 中图分类号：TN302 1、引言 近几十年来，微电j二技术发展迅猛，半导体器僻。的特征尺寸已减小到亚微米甚至深亚 微米量级。由于哑微米、深亚微米半导体器件存在各种小尺、j_效应，如漂移速度过冲效应、 热载流于效应川等{F局域性或{F稳定性效应等，因此需要考虑载流亍二输运中的能量和动量过 程，建立起能够描述热载流F效廊、速度过冲效应≈小尺寸效应的传输模型。60-70年代发 展起来的流体动力学模型，能够较好地满足以上要求。 大多数!r导体器件的工作机理均与pn结有关，pn结就是半导体器件的心脏，因此pn 结的模拟与分析对指导复杂器件的分析与设计具有重要的意义， 2、适用于亚微米器件模拟的简单流体动力学模型 稳态条件F的简单流体动力学模型jj以表示为【2 v：∞=q--(n—p-Ⅳ1 占‘ V·J。=qR (2) (3) ～，J，=一qR V^叫口扣L一知警 v晦叫口知尺。一扛p譬 (5) ‘ ● ‘们 其中J。、J。分别为电子、空穴电流密度，s。、S，分别为电子、空穴能流密度，L、0 ． 和瓦分别为电f、空穴和晶格温度，N为净掺杂浓度，R为净产生复合率，r。，、f。分别 为电予、空穴能量弛豫时间。式(1)为低频及半导体介电常数￡。均匀的条件下的泊松方程 式(2)、(3)分别代表电子、空穴电流连续性方程，式(4)、(5)分别代表电子、空穴能流连续性 方程。 与以上基本方程相对应的辅助方程为 ，。=∥。kBT．Vn+qkt。ME+七B∥。VL (6) ，，=～／．tPkB巧Vp+q∥，pE一七日∥，pVL ～ = 一 E “啊l 坛L (8) 5—2 = 一 r+ w ， 已 b 啊 5—2 ki％i 其中，／t。、茁。分别为电子、空穴热导率。式(6)、(7)分别代表电子、空穴电流密度方程， 式(8)、(9)分别代表电子、空穴能流密度方程。此外晶格热量方程为 篝掣+v弘警≯|。ot dt ㈣， 由式(1卜(10)就可以获得稳态条件下的简单流体动力学模型。简单流体动力学模型的适 用范围为微米及亚微米量级，求解变量为电势妒、电子浓度n、空穴浓度P、电子温度L、 空穴温度瓦以及品格温度瓦。 3、PN结的模拟分析 对器件尺寸为2×1，鲫．P区和n区掺杂浓度均为10”c州。的pn结进行了模拟，环境 温度为300K。图1～图6分别给出了处于零偏、反偏(一lv)、正