R-113圆形射流冲击模拟电子芯片单相对流换热的实验的研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 编号： 983126 传热传质学学术会议 R．113圆形射流冲击模拟电子芯片 单相对流换热的实验研究 王磊 苑中显 马重芳 陈永昌 刘立志 (北京工业大学热能工程系 北京100022) 摘 要 13 本文基于超大规模集成电路、特别是超级计算机冷却为背景，以常用微电子设备冷却剂R—l x 为工质，对自由射流和浸没射流情况下5mmsTnm模拟电子芯片的局部对流换热进行了实验研究。 向分布，讨论了雷诺数、喷嘴一传热面问距和径向距离对传热的影响。对换热系数径向分布的研究 表明，浸没射流时换热系数分布曲线上明显出现由层流到湍流过渡所引起的二次峰值。 关键词：射流冲击，模拟电子芯片，对流换热 1前 言 随着电子计算机技术的飞速发展，电路的集成化程度日益提高，芯片的热负荷也不 断增大。据报道，在本世纪末，芯片表面热流密度将达106w／m2“1。如果没有有效的 冷却技术，芯片温度一旦超过设计标准，就会导致性能急剧恶化，故障率大大增加。而 目前工业上普遍采用的风冷技术，无论是自然对流还是强迫对流，都由于空气热容小， 流速受到噪声的限制又不可过大，因此冷却能力一般不超过104W／m2”1。在这种情况 下，冷却技术的改进对微电子发展起着至关重要的作用。 射流冷却是流体法向冲击传热表面，形成很薄的速度和温度边界层，因而可提供很 高的传热传质率。射流冲击传热已成为微电子冷却的先进技术“1。近来，随着电子芯 片向微型化发展，越来越多的科学家把注意力放在小尺寸换热的研究上，射流冲击换热 也向着小尺寸喷嘴的方向发展。这是因为对于相同出口速度的射流冲击而言，小尺寸喷 嘴的流体沿壁面加速的行程较短，从层流到湍流的过渡发生较快，因此小尺寸喷嘴驻点 区的换热系数比大尺寸喷嘴要大”1。近年来，各国学者对圆形射流冲击作了深入探讨 ”一“，但大多数文献的喷嘴直径大于lmm，且把注意力集中在平均换热上，作者只看 到Webb“1采用d=058ram的喷嘴在小Re数下对射流冲击局部换热做了实验研究。 m一92 、 鉴于小尺寸换热发展趋势，本文首次采用d=534I|tm的微小喷嘴直径，对高Re数射流冲 击的换热进行了实验研究。 2实验设备及方法 图l为实验系统图。工作液体在具有测量、冷却和过滤设备的环路中循环。实验件 主要部分是一片10pxn厚、面积为5mm×5mm的康铜膜，用它作为传热表面以模拟微 电子芯片。用铁．康铜热电偶测量康铜膜内表面温度。图2为实验容器及测量仪表。实 验中用三维坐标架在三个方向上调节喷嘴与实验件相对位置，最小位移为10：am。 ㈣2巍峨容器’j刚}iI{让静 吲1寅验f7乐纨I{l I稳小f“渐2明，E器3变仆髂4lb流班 ：l 5生岭仆(；{’～电鸺7也fl-i|8”掩”了． 】顼 2黼流闷 j¨啦嚣 d．抟_}_；『嚣5汛威fI“’赴验靠撩 9{X即}¨…舛^}I如II寞睁宥琳12I蚧嘴 3实验结果及讨论 3．1 Re数的影响 根据大量的理论和实验研究成果，驻点换热准则关系式具有以下的形式”’： Nu=CRenP产 (1)关于Pr数的影响有关理论分析指出：当0