RTCVD法制备太阳能电池用多晶硅薄膜.pdfVIP

—旦～———————————～———一———鲢蜃垒璺垦堡璺蕉茔盔金垫熊圭基 RTCVD法制备太阳能电池用多晶硅薄膜 于民，李国辉 (北京师范大学低能所100875；北京市辐射中心100875) 王文静，许颖，罗欣莲，于元，赵玉文 (北京市太阳能所100083) 摘要：本文报道了RTcvD制备太阳能电池用、10—20微米厚、柱状晶粒多 晶硅薄膜的方法．选用两种衬底：Si。心和Si02，对比研究了薄膜的形态 结构，发现前者晶粒均匀，晶粒择优晶向为i00，而后者含较多异常大 1．引言晶粒，择优晶向为iii． ，1■JJj1 开发太用能宅池利用太阳能是解决能源问题的有效途径，而成本过高是制约其发展的 关键【1】。为了降低成本，国际上正开展研制多晶硅薄膜太阳能电池的工作c2…。 制各多晶硅薄膜是研究的重要～环，制膜方法很多，较有代表性的是：化学汽相淀积 然而．cvD十zMR由于步骤复杂、成本高，难以产业化．我们考虑是否可以简化步骤，降低4 成本，因此开展了直接用快速热化学汽相淀积(flTC佃j法制备多晶硅薄膜的工作． 另一方面，衬底的选择是多样的，报道中常见的有：Si02、石英、石墨、陶瓷等．我们 注意到Si对St：N。的浸润性好于对Si02的浸润性(61。却很少见到用Si。H作衬底的报道， 所以选用Si，N，和SiO：为衬底进行对比实验。 ． 我们制备出结构致密、厚度10-20微米、晶粒呈柱状、平均晶粒尺寸几个微米的多晶 硅薄膜．对比发现，基于两种衬底的薄膜在形态结构上存在明显差异。 2．实验方法 我们使用RTcvD法制各多晶硅薄膜，设备为卧式管状炉，工作于常压下，用高频线圈 加热石墨舟，光学高温计测量温度，挖槽石墨舟外包热解石墨，可同时放两片2英寸硅片， u 1100-1200“，生长速度约0．5m／min．通过控制生长时间来控制生长厚度。制样时选用两 抛光100单晶硅片． 利用光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察样品的形貌和结构，必要时对样品进行一定的 腐蚀，以便显现其结构特征，所用腐蚀液为Secco溶液。另外，用x射线衍射(XRD)测量其 品粒取向． 3．实验结果与讨论 ，： 对两种样品进行仔细观测，S蹦照片附于文后。以Si。N‘为衬底的样品(以下简称甲种样 ’品)的SEM照片见图l，其晶粒大小均匀，结合紧密。而以Si0：为衬底的样品(以下简称 、 。 t 蔓盍墨垒堡旦堡叠壅茎垄金丛熊墨壅 ． ! 乙种样品)的S蹦照片如图2显示，其晶粒结台紧密，但晶粒尺寸不均匀，其中有许多异 常大晶粒．呈山状突起． 所示。由图中可看到晶粒呈柱状结构，对比可见，甲种样品柱状晶粒较均匀，基本为竖直 方向生长，而乙种样品有异常大晶粒存在，邻近的柱状晶粒受挤压，生长偏离竖直方向。 晶粒尺寸与薄膜厚度有一定关系。 通过对样品表面及剖面的S蹦照片进行 仔细分析，可分别得到平均晶粒尺寸(本 ◆ 文所指晶粒尺寸是晶粒横向尺寸即平行 样品表面方向的尺寸)和薄膜厚度。甲 砷样品品粒尺寸随薄膜厚度的变化参见 r’· 豳5(乙种样品因晶粒不均，难以计算 平均尺寸)。由图可见晶粒在生长初期 }： 。 长大较快，而达到一定尺