XLPE电缆局部放电类型的识别.pdfVIP

XI．IIIE毫壤羼舔放电粪囊的识剃 —■．◆■、●■ 蠢安变鼍失事一蕉囊簟纛 ■曩l奉文撮曩■囊—艘盼特点，错撵了凡羹t■麓蠊●陷攘墨，锻出它室】的威 ■触撕以删．还■囊了．一麓盒幼坂_榧筑中曲囊：F抗程序。它能扮啊来自瞳窟格使 囊■■静太的腙冲千捷． ．。， ， ， 关键词；，≠o了糯璃筘放电．抗干扰 、{1、弛 馋俯。p巾{ ≮?膨，j》．+} ‘ 一．前言 、一 局放是譬，’{i玉l殳蔷绝缘蛊宁的主囊原蹿．随着技术发展局放测量不仅要求潮出 放电丈小．而且：要求耀鼹放电特征来识舅H放电类型．计算机辅助技术的发最．使樗愚 艘类型的自动tt：，0成为可酵．箍个过程是： 嗣量Ira-茂敷；暑型一’特征提增卜◆识剐分；}◆识别维集 十 数据库 硒放溯露≯，；：电嚣j法，利用计算机可对局放信号进行实时采集，并对检铡蕊幡的薹 车参麓，如：艘}；；、放电次数N、放电朔位中进行统计计算．祷列Ha(夸)、瞰审)、 ≤，+芑’≈．试蝗谱圈可用一幂硼统计鼙予C蜘俄辩度SK、赛把廖KU 和Hdd)受≯：{ 等)来}{鑫迓。污叶占f统计算予甥成该放电的指绽，井将备类放电昀标准指蚊秤■·{；救 据痒中．于是对x．末知放电进行识j；II时，艇可将来知的放电指载与摩中的标准攮戡比 较，依一定的蓐熹(统}l概率洼、CLef叮FOUR飘DItE法)．得列{，5撵坟与摩牵摹标准 鬻竣的相似程度，从丽遮列识别目的． -- 揭放自动识别系统芷常工作的前提是在局放的舅量中不存在千捷，舅耨钓全是真 实放电信息．因而我{门考虑在统计局放港田之前，胆软伴着手，把予抗掰豫。邸■■抗 干抗文件来抑列菜些英型的干扰． 二．模推币同放电瀑昀试样 XL p_E电缎产生局妓的最因往往是由于电曩生产过穗中，在蟪●内矗或再孺处形成 了气泡．蜘：①挤蓥过控中，半导体屏藏中的气体辨遵而在半导体屏蔽晨与蟪缘柏界蕊 上形成小气泡。@由于绝缘中挥发物∞汽化雨形盛气泡．@外屏麓屈挤色不繁莉形成气 泡．除此以辨若在绝缘辩中混有杂凰拳导体内屏蔽层的井表面或辫孱藏的内襄西形戚的 ‘ 卡—锋都会引起电J蠡在该处的集中，从而产生周謦放电． 辗据以上所避的放电海，本文镇拱了三种绝0t缺陷．见田2．1． 田2．1、盈2．2中标号A．为电缱乡}包的铸带、B：为半导体并鼻蕞屡、Q为绝缘屡、 D：为半导体的内屏蔽层、E：为导体拽芯、块陷l：为外羼藏屡在她蓉屡中的突起、缺 糟2：为绝量璧内的气蘸、缺陷3：为冉导体毛蒯牵6A绝缘屡、缺陷4；为电蟪表面壤陷(豳 中来誓出)．， 揸照上述鬟垂冀们取lOWⅪJ吧电缓越戚如图2．2所示的试样。 鑫翔2．2所示曲电璇覆土钴盘不一 基经及瀑魔曲孔(分嬲E糟2“I．抽瞄， 钿瓤三种擤梅的诂文)，再毪嚣中壤入—定的绝缘辩畔)．井溶上串薯电鼍．●后奠 虹镩希．奄种■陷●t，个斌棒． i用靛龟指跛来识拱稠罔放电蠢 3．1徽的逢班 ．潮．c净；强“●≯豳一酗每个i5霪匠奠7麓电幡鬣，■作特征叠囊，蓐曩II氛．参专 理}l科￡◆和瓤“●撙f斡蕾船十刺日议，几乎其有相同曲攒敛．甚越在奠囊●争证对 蕊囊其中铂H·蠢●。捆来计鞘纹．同时发现有些统计算孑对i髓-不一螅麓毫ll作用 年贰 筑计 ■曩 彝乎 瓢 础●)、㈣ ，，畦 =Ii_、●， ；I∞+：ll口I翟◆’。．“璃蠢哟、Hf‘邙 善囊文l啁睁-SK两■瓣度．sI‘U曲突蹬度蕊为局帮蜂个鼙 。侧釜班薹臻生塑丝 -每’ ：薹中。琦——一．。蠢魏慷(第i辛期位膏口) 、。岛一‘出蕊X蚂繁搴 一善——-标准■菱jC下蕾公式出理羽也相同) SK砷寰示陶