ZnO压敏电阻片残压比微观结构参数的关系.pdfVIP

ZnO压敏电阻片残压比微观 结构参数的关系‘ 李盛涛谢峰刘辅宜 (西安交通大学电气绝缘研究所西安710049) 【摘要】本文实验研究了厚度d对ZnO压敏电阻片残压比K。 的影响规律，表明残压比同样存在几何效应。实验研究了残压比K，和 电位梯度Elm^、K，和微观结构参数的关系，表明残压比K，随电位梯 度E。。．成反比例下降，随平均晶粒尺寸“的增大而增大。找到了一个 综合微观结构参数一平均晶粒尺寸¨和晶粒尺寸方差孑的乘积 (02u)，能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。 提出了计算机模拟微观结构模型，并采用计算机模拟了残压比 K，和厚度d、K。和平均晶粒尺寸“以及K。和乘积一u的关系，模拟结 果与实验结果基本一致。 【关键词】z古ol压敏电阻片残压比 微观结构 1前言 亨j一：j 【’ 由于过去30年不断改善ZnO压敏电阻片电性能．不断开拓新的应用领 域，ZnO压敏电阻片才能广泛应用于电力系统输配电系统的避雷器和低压电 子电路的压敏电阻器。因为残压比K。，即脉冲电流密度550A／cm2下的残压与 直流lmA电压之比，对于避雷器极其重要，针对改善残压比进行了大量研究 工作。研究者已经报道“‘2’，添加Al”或者Ga“能有效降低ZnO晶粒电阻率， 从而提高非线性指数降低残压比．但是过量添加A1”或者Ga。将引起泄漏电 流的增大，不利于电阻片的稳定性。另一方面，已开发了多种均匀烧结技术改 ．本文得到国家自然科学基金的资助 ·1· 善其能量耐受能力。ZnO压敏电阻片的电气性能取决于其檄观结构。本文作 者已深入研究并报道了ZnO压敏电阻片电位梯度的几何效应，即电位梯度 E。随试样厚度减薄而降低。-53，提出了电位梯度的几何效应是ZnO晶粒尺 寸分布的不均匀性和晶粒形状的不规整性造成的。在此基础上，本文实验研究 了厚度对ZnO压敏电阻片残压比K，的影响规律。以及K，和电位梯度Et。^、 K。和微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型，并模拟了残压 比K，和厚度d、平均晶粒尺寸u、乘积矿“的关系。 2实验 所有试样都是商用ZnO压敏元件，使用了两组试样。第一组试样的直径、 厚度和配方均不相同，共五种，每种各取6片进行测量。第二组试样的配方和 的试样经双面打磨而成，每个厚度打磨2至3片。试样经环氧粉末包封后测试 电气性能，以免试样受潮和沿面闪络放电。测试的电气性能是压敏电压U。。。、 下的残压。压敏电压U一与厚度d之比称为电位梯度E。。试样经抛光、在 HF溶液中优先腐蚀、清洗、烘干，用光学显微镜观察微观结构。在显微照片 上，每种试样至少测量150个晶粒的长度，并计算其平均晶粒尺寸“和标准偏 差o。 3实验结果 3．1残压比K，的几何效应 测量了厚度从0．5到4．5mm的试样的残压比。残压比K，和厚度倒数1／ d的关系如图1所示。残压比K，随着厚度d的增大丽降低，因此残压比K，的 几何效应同样存在。残压比K，正比于厚度的倒数1／d，表示为， 炉1．46+字 (1) 其中，d是试样厚度，单位毫米。 ·2， 3．2微观结构参数对残压比K。的影响 图2给出了残压比K，与电位梯度E，。。的实验关系。由图可见，残压比K， 随电位梯度E，。．反比例下降。当电位梯度Et。。大于250V／mm后．K，趋于常 数，约为1．7。数据经拟合，得到关系式如下． K。一1．30+．坐 (2) L}mA 其中，E1。。为电位梯度，单位V／ram。 ，．、＼ =；o!。。：；；o2忙 ≮