光导InSb探测器用于中红外激光参数测量技术研究.pdfVIP

光导InSb探测器用于中红外激光参数测量技术研究 陈绍武，张检民，王平，宇文璀蕾，闫燕， 吴勇 (西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室，陕西西安710024) 1意义 InSb探测器具有响应速度快、探测光谱宽等特点，常用于微弱功率的中红外辐射测量。 在中红外高能激光光束测量中．由于激光功率密度很高，经过高倍数衰减后到达探测器的 功率密度为数W／cm2。要实现激光功率测量，需要对探测器机理以及影响探测器暗电阻、 光谱响应率、光谱探测率的因素进行分析研究，用于探测器参数的优化设计，同时需要对 探测器在强激光辐照下的热效应特性进行分析和研究，并进行补偿方案设计。 2掺杂浓度和环境温度对P型光导InSb探测器特性的影响 根据探测器的工作机理，建立了P型光导InSb探测器的计算模型，得到了探测器暗电 阻月o、光谱响应率RA和光谱探测率D‘的表达式： R=口÷二 (1) wa％ R=鲁=型(wd)2垃hceo(n型ou=+P坚oup)： (2) D’-去wR五(doo／kT)Ⅳ2 (3) 得出了如图1(a)所示的掺杂浓度NJ|和图1(b)所示的温度丁对探测器暗电阻民、响应 率R五、探测率的影响，并采用实验验证了温度丁对探测器暗电阻凡、响应率R五的影响(如 图2所示)。 卫 力 。 里 季皂 i 卫E 卫 a a 3且畦椰城枷75傩．o盯 n∞E棚“睢·们7知睫．017 N．1一-一 T．巾—伯u唧q (a) Co) 图l掺杂浓度N．和环境温度r对探测墨暗电阻氏、响应宰尺。、探测率影响计算结果 结果表明由于P型光导InSb材料的电子迁移率“．和空穴迁移率∥。的差异较大，导致上 述参数在掺杂浓度Ⅳ。在10№～10册q之间有极大值，为满足激光参数测量系统的要求， 需要控制探测材料的掺杂浓度Ⅳ．；同时温度r对探测器性能有较大的影响，随着温度的 升高，探测器的性能参数逐步降低，在实验中需要控制探测器的工作温度或根据温度监测 值进行结果补偿。 188 3热效应对探测器测量的影响分析 由于温度的变化会给探测器的暗电阻、光谱响应率、光谱探测率等带来影响。囡此需 要研究高功率密度激光的辐照过程中InSb探测器芯片的温度变化对测量结果的影响，故采 用有限元方法估算了热效应的影响。 圈3为典型探测器结构示意图，InSb芯片以自宝石为衬底，安装在铜基座上．芯片、 白宝石和基座之间用环氧胶粘接。采用二维模型分析InSb探测器在激光辐照下的热响应过 程，计算中采用按照厂家标称几何尺寸，并忽略对流和辐射传热。 团2温度影响的实验验证结果 图3 In孙探测器结构模型 探测器光敏元内部温度变化遵循热扩散方程 印筝毋(kVT)+Q