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2015-07-30 发布于安徽
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CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究.pdf

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CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究胡明浩李磊王佩电子科技大学电子科学技术研究院成都 610054 摘要：本文主要是对CMOS电路的抗辐射加固RHBD技术进行了研究，介绍了基于RHBD技术的纠错码技术、保护门(Guard-gates)电路技术、双互锁存储单元(DICE)技术、三模冗余(TMR)技术等；并给出了基于 DICE结构的锁存器的设计及其功能仿真波形。关键词：CMOS;抗辐射加固；RHBD技术；DICE;锁存器 ResearchofRadiation-Hard-By-DesignTechnologyfor CMOSRadiation-HardenedCircuit MinghaoHu LeiLi PeiWang Abstract:ThispapermainlydiscussestheRHBDtechnologyforCMOSRadiation-hardenedcircuit,introducesthe technologiesofErrorcorrectingcodes,Guard-gatescireuit,Dualinterlockedstoragecell,triplemodularredundancyandso on;andgivesoutthelatchdesignbasedonthestructureofDICE,alongwithitswave-formoffunction. Keywords:CMOS;Radiation-Hardened;RHBD;DICE;Latch 脲丁州叩日旦TFJH|云厂：存储单元的翻转变得：，仍然可以使用纠错石【选择使用大量列多毋这里的f为以4为模日器用的都是单管反相{ （symbol）事实上或j N．型晶体管，分别用： j霉基于不同延迟信号的T 对钟以及不同延时的1