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第 卷第 期 原 子 能 科 学 技 术 !
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不同设计参数 器件的 射线总剂量效应
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李冬梅 皇甫丽英 王志华 勾秋静
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清华大学 电子工程系!北京 清华大学 微电子学研究所!北京 #
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摘要 采用非加固工艺 通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件 可使器件抗辐射加固成本大
为降低 本工作研究商用标准 体硅 工艺下不同设计参数的 晶体管的 射线总剂
$ *BI / @DG8 DG8 #
量辐照特性$ ! , #
通过对 器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验 分别对比了不同宽长比 L Q
DG8
(DG8管和 bDG8管的总剂量辐照特性$研究表明!总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对 (DG8及
管的 均不敏感 总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随 管 的减小而增加 研
bDG8 , (DG8 , $
L Q L Q
究结果可为抗辐射 集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考$
@DG8
关键词 晶体管 宽长比 辐射效应 总剂量
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中图分类号! 文献标识码! 文章编号! #
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