c轴取向SiC衬底MgB_2超导厚膜的制备和性质.pdfVIP

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2015-07-31 发布于安徽
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c轴取向SiC衬底MgB_2超导厚膜的制备和性质.pdf

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第 32 卷第 1 期低　温　物　理　学　报 Vol . 32 ,No . 1 2 0 1 0 年 2 月 C H IN ESE J OU RN AL O F L OW T EM P ERA TU R E P H YSICS February 2 0 1 0 c 轴取向 SiC 衬底 MgB 超导厚膜的制备及性质 2 孟　胜　　张从尧　　冯庆荣北京大学物理学院 ,北京 10087 1 ( ) 【摘要】　通过混合物理化学气相沉积法 Hybrid Physicalchemical Vapor Depo sition ,简称 H PCVD ,我们在 SiC 衬 μ 底上制备出了 c 取向 8 m 厚的 MgB2 超导厚膜. 电性质测量表明其起始超导转变温度是 4 1. 4 K ,转变宽度为 0 . 6 2 5 K ,剩余电阻比率 RRR～7 . 磁性质测量表明 5 K 和零场下样品的临界电流密度达到了 1. 7 ×10 A/ cm . 关键词 : 混合物理化学气相沉积法 ,MgB2 超导厚膜 ,R～ T 曲线 ,M ～ T 曲线 ,M ～ H 曲线 ,SEM 图 PACC : 7460 ,7470 ,7475 THE STUDY OF SIC SUBSTRATE MgB 2 THICK FILMS GREW ALONG c AXIS M EN G Shen g 　　Z HAN G Congrao 　　F EN G Qingrong S chool of P hy s ics , Pek i ng Uni vers ity B eij i ng 10087 1 【Abstract 】　We have fabricat ed MgB2 t hick film s on SiC sub st rat e grew along c axi s by u sing hybrid p hy sicalchemi ( ) μ ( cal vapor depo sition H PCVD t echnique . The t hickness wa s 8 m . Elect ric mea surement showed t hat t he Tc on set) wa s 4 1. 4 K , and t he t ran sition widt h was 0