大园片介质膜应力测试方法的研究.pdfVIP

大因片介质膜应力测试方法研究 恩云飞 电子部五所510610 孙青杨银堂 西安电子科技大学710071 摘要：本文介绍了激光柬偏转法和双折射法两种半导体材料应力测试系统及测试方法， 其中激光束偏转法直观、简便，不受样品材料的限制，且可以判定应力的张、压性质， - 双折射法应力测试分辨率高，能给出应力的方向。应用这两种澳I试系统对电子回旋共振 (ECR)等离子体CVD工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。 关键词：介质膜、应力、应力测试系统、电子回旋共振等离子体CVD l引言 在VLSI器件工艺中金属膜和介质膜都有机械应力存在，这种应力通常认为来自晶 格失配、热膨胀失配、温度梯度和膜的几何形状，～的应力迁移会导致Al条的空洞断 j 裂，介质膜应力过大会诱生衬底位错产生界面态，甚至发生介质膜龟裂，村底和介质膜 应力会导致外延层产生位错，这种位错如发生在有源区，会造成器件的永久性失效。因 此对VLSI器件金属膜和介质膜应力进行研究，从结构和工艺上降低应力是很有必要的。 本文着重介绍了激光束偏转法和双折射法两套半导体材料应力测试系统及测试方 力进行了研究。 2应力测试系统 2．1激光束倔转法应力测试系统 ■j—V； 鑫拉样品台 图1．激光束偏转法应力测试系统 当半导体基片表面淀积或生长一定厚度的薄膜时，由于薄膜应力的存在将使半导体 基片发生弯曲，基片弯曲的大小直接与应力相关，弯曲方向不同，应力则表现为张应力 和压应力。通过测量基片弯曲的程度和方向，就可以得到薄膜应力的大小和区分张应力 和压应力。薄膜应力与基片的曲率半径关系如下【l】 盯=摭c亡～寺 ㈣ 其中El和v。分别为衬底材料的杨氏模量和泊松比，ts和te分别为衬底和薄膜厚度，Rf和 Ro分别为有无薄膜存在时的衬底曲率半径，因此通过测量曲率半径就可得到薄膜的应 力。图l为测试系统原理图。 这种测试系统方法直接，且不受村底和薄膜材料的限制，应用方便。 2．2双折射法应力测试系统 si、Ge和GaAs等半导体材料具有对称的晶格结构且各向同性，但薄膜应力的存在 使得他们各向异性，折射率发生变化，折射率的变化与应力之间存在如下关系口】 An=CAcr (2) C为光弹性常数。对于不同极化方向光的相位差△ △：—2nd—An (3) 五 d为基片的厚度，九=1．15pro为入射光波长。 激光通过；q4波片后为园偏振光，当这种园偏振光通过有应力存在的半导体材料基 片时，其偏振方向将发生变化，在样品的下面有一个旋转分析器，其作用类似于检偏器。 光通过后被光探测器接收，强度为 △I=Isin△sin2(碰一研(4) 烈为角频率，0为旋转角，因此 △盯：—生一arcsill竺 f5) 2耐C I 因为△坍很小，所以 △盯：lL垒 (6) 2耐CI 、7 样品 圈2．双折射法应力测试系统 通过探测光的强度就可以计算出材料的应力，同时可以给出各点应力的方向，应力 方向采用光率体方向近似”1。图2为测试